...

ماسفت MOSFET TK1K2A60F ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
MOSFET

کد محصول PRD-15005

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

75.600تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت TK1K2A60F – ترانزیستور قدرت N-Channel

ماسفت TK1K2A60F یک ترانزیستور قدرت N-Channel است که توسط شرکت توشیبا (Toshiba) تولید شده است. این ماسفت برای کاربردهای های-ولتاژ با قابلیت اطمینان بسیار بالا طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی TK1K2A60F

  • بسته‌بندی کاملاً ایزوله: عدم نیاز به عایق‌بندی اضافی

  • ولتاژ کاری بسیار بالا: 600 ولت – مناسب برای کاربردهای صنعتی پیشرفته

  • کیفیت ساخت عالی: استانداردهای کیفیت توشیبا

  • نصب آسان: کاهش زمان و هزینه مونتاژ

  • ایمنی بالا: کاهش خطر اتصال کوتاه به هیت‌سینک

  • قابلیت اطمینان بالا: مناسب برای کاربردهای حساس صنعتی


کاربردهای اصلی

این ماسفت ولتاژ بالا ایزوله در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان)

  • مبدل‌های Flyback و Forward

  • اینورترهای صنعتی

  • کنترلرهای روشنایی صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه)

  • درایورهای موتور AC

  • شارژرهای باتری صنعتی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 62 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 2.5 °C/W (بیشتر از TO-220 معمولی)

نکات حیاتی در طراحی

  • مدیریت حرارتی: با وجود ایزوله بودن، هنوز نیاز به هیت‌سینک مناسب دارید

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 600V

  • حفاظت از گیت ضروری است: استفاده از دیود زنر 18V بین گیت و سورس

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 10kΩ-47kΩ بین گیت و سورس

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • مدار Snubber: استفاده از مدار اسنابر برای کاهش اسپایک ولتاژ


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 60 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 65 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 35 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.09 mJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.045 mJ

جایگزین‌های مشابه و معادل

  • TK1K2A60U – نسخه غیر ایزوله (TO-220)

  • IRF840 – از Infineon

  • STP10NB60 – از STMicroelectronics

  • FQP10N60C – از Fairchild/ON Semi

  • 2SK3568 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت TK1K2A60F یک انتخاب مطمئن و حرفه‌ای برای کاربردهای ولتاژ بالا با نیاز به ایزولیشن است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • بسته‌بندی کاملاً ایزوله (TO-220F)

  • ولتاژ کاری بسیار بالا (600V)

  • کیفیت ساخت عالی توشیبا

  • نصب آسان و کاهش هزینه مونتاژ

  • قابلیت اطمینان بالا

⚠️ محدودیت‌ها:

  • مقاومت حرارتی بالاتر از TO-220 معمولی

  • مقاومت Rds(on) نسبتاً بالا (280mΩ)

  • جریان دهی محدود (12A)

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

💰 ایده‌آل برای:

  • منابع تغذیه صنعتی با نیاز به ایزولیشن

  • کنترلرهای روشنایی صنعتی

  • مدارات PFC کوچک و متوسط

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • کاربردهای که ایمنی و قابلیت اطمینان اولویت دارد

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل مطمئن، ایزوله و با کیفیت برای کاربردهای ولتاژ بالا هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.