...

ماسفت MOSFET IPP126N10N3G ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری
OptiMOS™ 3

کد محصول PRD-14975

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

185.490تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IPP126N10N3G – ترانزیستور قدرت OptiMOS™ 3

ماسفت IPP126N10N3G یک ترانزیستور قدرت N-Channel پیشرفته از خانواده OptiMOS™ 3 است که توسط شرکت Infineon Technologies تولید شده است. این ماسفت به‌طور خاص برای کاربردهای Low-Voltage High-Current با کارایی بسیار بالا طراحی شده است

ویژگی‌های منحصر به فرد تکنولوژی OptiMOS™ 3

✅ مزایای کلیدی OptiMOS™ 3

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> فوق‌العاده پایین: تنها 1.26 میلی‌اهم – رکورددار در کلاس خود

  • جریان دهی بسیار بالا: 120 آمپر در دمای 25°C

  • تلفات سوئیچینگ بسیار پایین: بهینه‌شده برای فرکانس‌کاری بالا

  • کارایی حرارتی عالی: عملکرد پایدار در جریان‌های بالا

  • دیود بدن با بازیابی سریع: کاهش تلفات در کاربردهای سوئیچینگ

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت خودرویی


کاربردهای اصلی

این ماسفت فوق‌پرانرژی در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ پرتوان سرور و دیتاسنتر

  • مبدل‌های DC-DC با جریان بسیار بالا

  • کنترل‌کننده‌های موتور براشلس (BLDC)

  • سیستم‌های جوشکاری اینورتری

  • درایورهای سروو موتور صنعتی

  • منابع تغذیه برای ماشین‌های CNC

  • سیستم‌های مدیریت باتری (BMS) پرتوان

  • اینورترهای سولار پرتوان


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 10-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 4-5 A (به دلیل Qg بالا)

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 1 تا 3.3 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-200 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 40 °C/W (با هیت‌سینک مناسب)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 0.5 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • هیت‌سینک بسیار بزرگ: این قطعه به دلیل توان بسیار بالا نیاز به هیت‌سینک بزرگ دارد

  • خنک‌کننده فعال: در اکثر کاربردها نیاز به خنک‌کننده فن دار است

  • مسیرهای PCB فوق‌العاده عریض: استفاده از مس 3-4 اونس با عرض بسیار زیاد

  • خازن‌های بای‌پس پرتوان: استفاده از خازن‌های سرامیکی و پلیمری با ESR پایین

  • درایور گیت بسیار قوی: استفاده از درایور گیت اختصاصی با قابلیت جریان بالا

  • حفاظت از اتصال کوتاه: استفاده از سنسور جریان و مدار قطع سریع


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 12 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 35 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 40 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 25 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.15 mJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.08 mJ


جایگزین‌های مشابه

  • IRFS4315ZPBF – از Infineon

  • STP120N10F7 – از STMicroelectronics

  • FDP110N10F – از Fairchild/ON Semi

  • IXFH120N10T – از IXYS


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IPP126N10N3G یک انتخاب حرفه‌ای و فوق‌العاده برای کاربردهای Low-Voltage High-Current است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • مقاومت Rds(on) فوق‌پایین (1.26mΩ) – رکورددار

  • جریان دهی بسیار بالا (120A)

  • تلفات سوئیچینگ بسیار پایین

  • مناسب برای فرکانس‌کاری بالا

  • قابلیت اطمینان استثنایی

⚠️ محدودیت‌ها:

  • نیاز به سیستم خنک‌کنندگی بسیار قوی

  • نیاز به درایور گیت بسیار قوی

  • قیمت بالاتر نسبت به قطعات معمولی

  • نیاز به طراحی PCB حرفه‌ای

💰 کاربردهای حرفه‌ای:

  • منابع تغذیه سرور پرتوان

  • درایورهای موتور صنعتی پیشرفته

  • سیستم‌های جوشکاری اینورتری

  • مبدل‌های DC-DC پرتوان

  • سیستم‌های مدیریت باتری خودروهای الکتریکی

این قطعه برای طراحانی که به دنبال بالاترین سطح کارایی در کاربردهای پرجریان هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.