206.100تومان
ماسفت IPP126N10N3G یک ترانزیستور قدرت N-Channel پیشرفته از خانواده OptiMOS™ 3 است که توسط شرکت Infineon Technologies تولید شده است. این ماسفت بهطور خاص برای کاربردهای Low-Voltage High-Current با کارایی بسیار بالا طراحی شده است
✅ مزایای کلیدی OptiMOS™ 3
مقاومت R<sub>DS(on)</sub> فوقالعاده پایین: تنها 1.26 میلیاهم – رکورددار در کلاس خود
جریان دهی بسیار بالا: 120 آمپر در دمای 25°C
تلفات سوئیچینگ بسیار پایین: بهینهشده برای فرکانسکاری بالا
کارایی حرارتی عالی: عملکرد پایدار در جریانهای بالا
دیود بدن با بازیابی سریع: کاهش تلفات در کاربردهای سوئیچینگ
قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت خودرویی
این ماسفت فوقپرانرژی در کاربردهای زیر استفاده میشود:
منابع تغذیه سوئیچینگ پرتوان سرور و دیتاسنتر
مبدلهای DC-DC با جریان بسیار بالا
کنترلکنندههای موتور براشلس (BLDC)
سیستمهای جوشکاری اینورتری
درایورهای سروو موتور صنعتی
منابع تغذیه برای ماشینهای CNC
سیستمهای مدیریت باتری (BMS) پرتوان
اینورترهای سولار پرتوان
الزامات درایور گیت:
ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 10-12 V
جریان پیک درایور: حداقل 4-5 A (به دلیل Qg بالا)
مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 1 تا 3.3 Ω
فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-200 kHz
پارامترهای حرارتی:
مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 40 °C/W (با هیتسینک مناسب)
مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 0.5 °C/W
هیتسینک بسیار بزرگ: این قطعه به دلیل توان بسیار بالا نیاز به هیتسینک بزرگ دارد
خنککننده فعال: در اکثر کاربردها نیاز به خنککننده فن دار است
مسیرهای PCB فوقالعاده عریض: استفاده از مس 3-4 اونس با عرض بسیار زیاد
خازنهای بایپس پرتوان: استفاده از خازنهای سرامیکی و پلیمری با ESR پایین
درایور گیت بسیار قوی: استفاده از درایور گیت اختصاصی با قابلیت جریان بالا
حفاظت از اتصال کوتاه: استفاده از سنسور جریان و مدار قطع سریع
زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 12 ns
زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 35 ns
زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 40 ns
زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 25 ns
انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.15 mJ
انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.08 mJ
IRFS4315ZPBF – از Infineon
STP120N10F7 – از STMicroelectronics
FDP110N10F – از Fairchild/ON Semi
IXFH120N10T – از IXYS
ماسفت IPP126N10N3G یک انتخاب حرفهای و فوقالعاده برای کاربردهای Low-Voltage High-Current است.
🎯 مزایای نهایی این قطعه:
مقاومت Rds(on) فوقپایین (1.26mΩ) – رکورددار
جریان دهی بسیار بالا (120A)
تلفات سوئیچینگ بسیار پایین
مناسب برای فرکانسکاری بالا
قابلیت اطمینان استثنایی
⚠️ محدودیتها:
نیاز به سیستم خنککنندگی بسیار قوی
نیاز به درایور گیت بسیار قوی
قیمت بالاتر نسبت به قطعات معمولی
نیاز به طراحی PCB حرفهای
💰 کاربردهای حرفهای:
منابع تغذیه سرور پرتوان
درایورهای موتور صنعتی پیشرفته
سیستمهای جوشکاری اینورتری
مبدلهای DC-DC پرتوان
سیستمهای مدیریت باتری خودروهای الکتریکی
این قطعه برای طراحانی که به دنبال بالاترین سطح کارایی در کاربردهای پرجریان هستند، انتخابی ایدهآل محسوب میشود.
| Feature | Specification |
|---|---|
| پکیج (Package) | |
| تعداد در بسته | |
| بستهبندی (Packing) | |
| سری | OptiMOS™ 3 |
| ولتاژ درین-سورس |
100 V |
| جریان درین پیوسته | 120 A |
| جریان درین پالسی | 480 A |
| مقاومت درین-سورس روشن | 1.26 mΩ (0.00126 Ω) |
| بستهبندی | TO-220 |
| ولتاژ گیت-سورس | ±20V |
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.