ماسفت MOSFET IRF3710PBF ORIGINAL

در حال دریافت مشخصات محصول…
کد محصول PRD-7288
ابزارهای محصول دسترسی سریع به امکانات محصول

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

74.730تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ترانزیستور IRF3710PBF یک ماسفت کانال N با ولتاژ و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویت‌کننده در پروژه‌های الکترونیکی طراحی شده است. این ماسفت به دلیل داشتن مقاومت پایین در حالت روشن (RDS(on)_{DS(on)}) و سرعت سوئیچینگ بالا در مدارهای قدرت و پروژه‌های صنعتی کاربرد دارد.

ویژگی‌های کلیدی IRF3710

  1. ولتاژ بالا: مناسب برای مدارهایی با ولتاژ‌های تخلیه بالا تا 100 ولت.
  2. جریان بالا: قابلیت عبور جریان تا 57 آمپر.
  3. مقاومت روشن پایین: RDS(on)_{DS(on)} کم که باعث کاهش تلفات توان در حالت روشن می‌شود.
  4. سرعت سوئیچینگ بالا: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا.
  5. توان تلفاتی بالا: توانایی تحمل توان 200 وات در شرایط بهینه.
  6. پایداری حرارتی: عملکرد پایدار در دماهای بالا تا 175°C.

کاربردها

  1. مدارهای سوئیچینگ قدرت: مانند مبدل‌های DC-DC و اینورترها.
  2. مدارهای درایور موتور: برای کنترل سرعت و جهت موتورهای DC.
  3. مدارهای منبع تغذیه سوئیچینگ (SMPS): به عنوان کلیدهای قدرت.
  4. تقویت‌کننده‌های صوتی: برای تقویت سیگنال‌های توان بالا.
  5. سیستم‌های انرژی خورشیدی: مدیریت و کنترل انرژی در پنل‌های خورشیدی.
  6. سیستم‌های UPS و برق اضطراری: سوئیچینگ سریع و تحمل توان بالا.

مدار نمونه برای استفاده از IRF3710

مدار ساده سوئیچینگ با IRF3710:

  • تغذیه: منبع تغذیه مثبت را به درین (D) و بار را به منبع (S) متصل کنید.
  • کنترل: سیگنال PWM یا ولتاژ گیت (G) از میکروکنترلر یا درایور به پایه گیت متصل می‌شود.
  • مقاومت گیت: از یک مقاومت سری کوچک (معمولاً 10-100 اهم) برای کنترل جریان ورودی گیت استفاده کنید.

محاسبات توان تلفاتی

برای بهینه‌سازی طراحی و جلوگیری از گرم شدن بیش از حد ماسفت، توان تلفاتی (Ploss_{loss}) باید محاسبه شود:

Ploss=ID2×RDS(on)P_{loss} = I_D^2 times R_{DS(on)}

برای جریان 30 آمپر و RDS(on)_{DS(on)} برابر 0.023 اهم:

Ploss=302×0.023=20.7 واتP_{loss} = 30^2 times 0.023 = 20.7 text{ وات}

بنابراین، برای دفع حرارت، از یک هیت‌سینک مناسب استفاده کنید.


نکات مهم در استفاده از IRF3710

  1. ایزولاسیون گیت: ولتاژ گیت باید بین 10 تا 15 ولت باشد تا ماسفت به طور کامل روشن شود.
  2. مدیریت حرارت: برای کاهش دمای ماسفت در جریان‌های بالا از هیت‌سینک استفاده کنید.
  3. محافظت مدار: استفاده از دیود هرزگرد (Flyback Diode) در مدارهای سوئیچینگ با بارهای القایی ضروری است.
  4. کنترل گیت: از یک درایور گیت مناسب برای سوئیچینگ سریع استفاده کنید.

مزایا و معایب IRF3710

مزایا:

  • تحمل ولتاژ و جریان بالا
  • سوئیچینگ سریع
  • مقاومت پایین در حالت روشن

معایب:

  • نیاز به درایور گیت مناسب برای عملکرد بهینه
  • گرمایش در جریان‌های بالا که نیاز به هیت‌سینک دارد

توضیحات

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
نوع ترانزیستور MOSFET کانال N
ولتاژ تخلیه-منبع (VDS_{DS}) 100 ولت
جریان درین (ID_{D}) 57 آمپر (در دمای 25°C)
مقاومت روشن (RDS(on)_{DS(on)}) 23 میلی‌اهم
ولتاژ گیت-منبع (VGS_{GS}) ±20 ولت
توان تلفاتی (PD_{D})
200 وات
ظرفیت ورودی (Ciss_{iss}) 2500 پیکوفاراد

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRF3710PBF ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن