...

ماسفت MOSFET TK750A60F ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
IGBT با دیود سریع

کد محصول PRD-15002

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

89.910تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت TK750A60F – ترانزیستور قدرت N-Channel IGBT با دیود سریع

ماسفت TK750A60F در واقع یک IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) است که توسط شرکت Toshiba تولید شده است. این قطعه ترکیبی از مزایای MOSFET و BJT بوده و برای کاربردهای های-ولتاژ و های-کارنت طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی TK750A60F

  • ولتاژ کاری بسیار بالا: 600 ولت – مناسب برای کاربردهای صنعتی پیشرفته

  • جریان دهی استثنایی: 75 آمپر – قابلیت کار در شرایط سخت

  • دیود سریع داخلی: بازیابی بسیار سریع برای کاهش تلفات

  • ولتاژ اشباع پایین: 1.65V در جریان کامل – کارایی بالا

  • ساختار robust: طراحی شده برای کاربردهای صنعتی سنگین

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت توشیبا


کاربردهای اصلی

این IGBT پرتوان در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • اینورترهای صنعتی پرتوان

  • درایورهای موتور AC بسیار پرتوان

  • سیستم‌های جوشکاری صنعتی

  • مبدل‌های سولار پرتوان

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) صنعتی

  • کنترلرهای توان برای کوره‌های القایی

  • درایورهای سروو موتور صنعتی

  • کندانسورهای استاتیکی (STATCOM)


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 15 V

  • ولتاژ گیت برای خاموشی: -5 تا -8 V (برای خاموشی مطمئن)

  • جریان پیک درایور: حداقل 4-5 A (به دلیل Qg بسیار بالا)

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 2.2 تا 10 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 10-30 kHz (محدودیت IGBT)

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 0.5 °C/W (با هیت‌سینک ایده‌آل)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 0.24 °C/W

نکات حیاتی در طراحی IGBT

  • درایور گیت بسیار قوی: نیاز به درایور اختصاصی IGBT با قابلیت جریان بالا

  • ولتاژ گیت منفی برای خاموشی: استفاده از ولتاژ منفی برای خاموشی مطمئن

  • هیت‌سینک بسیار بزرگ: نیاز به سیستم خنک‌کنندگی بسیار قوی

  • محدودیت فرکانس: IGBT برای فرکانس‌های پایین بهینه شده است

  • حفاظت از اتصال کوتاه: استفاده از مدارهای حفاظتی پیشرفته

  • Snubber مدار: استفاده از مدار اسنابر برای کاهش استرس سوئیچینگ

جایگزین‌های مشابه

  • IKW75N60T – از Infineon

  • FGH75N60SMD – از Fairchild/ON Semi

  • STGP75NC60SD – از STMicroelectronics

  • IXGH75N60C3 – از IXYS


جمع‌بندی نهایی

IGBT TK750A60F یک انتخاب حرفه‌ای و فوق‌العاده برای کاربردهای های-ولتاژ و های-کارنت صنعتی است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری بسیار بالا (600V)

  • جریان دهی استثنایی (75A)

  • ولتاژ اشباع پایین (1.65V)

  • قابلیت اطمینان در شرایط سخت

  • مناسب برای کاربردهای صنعتی سنگین

⚠️ محدودیت‌ها و هشدارها:

  • نیاز به سیستم خنک‌کنندگی بسیار قوی

  • نیاز به درایور گیت فوق‌قوی

  • محدودیت فرکانس کاری (تا 30kHz)

  • فقط برای طراحان بسیار حرفه‌ای توصیه می‌شود

  • تلفات سوئیچینگ بالا

💰 کاربردهای تخصصی:

  • درایورهای موتور صنعتی بسیار پرتوان

  • اینورترهای جوشکاری صنعتی

  • سیستم‌های UPS صنعتی

  • کنترلرهای توان صنعتی

  • مبدل‌های سولار پرتوان

این قطعه برای طراحانی که در حوزه الکترونیک قدرت صنعتی پیشرفته فعالیت می‌کنند و به دنبال راه‌حلی مطمئن برای کاربردهای های-ولتاژ و های-کارنت هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.