...

ماسفت MOSFET TK35N65W ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
Super Junction

کد محصول PRD-14940

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

577.800تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت TK35N65W – تکنولوژی Super Junction

بررسی تخصصی ترانزیستور قدرت کارآمد

ماسفت TK35N65W یک ترانزیستور قدرت پیشرفته مبتنی بر تکنولوژی Super Junction است که توسط شرکت Infineon تولید شده است.

مشخصات فنی جامع

پارامترهای اصلی

  • تکنولوژی: Super Junction

  • ولتاژ درین-سورس: 650V

  • جریان درین پیوسته: 35A (در 25°C)

  • جریان درین پالسی: 140A

  • مقاومت درین-سورس روشن: 0.065Ω (65mΩ) در Vgs=10V

  • بسته‌بندی: TO-247

مشخصات کلیدی

  • ولتاژ گیت-سورس: ±30V

  • توان مجاز: 300W

  • دمای اتصال: -55°C تا +150°C

  • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss): 3800pF

  • بار گیت (Qg): 110nC

  • شارژ گیت-سورس (Qgs): 28nC

  • ظرفیت خازنی خروجی (Coss): 180pF

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای تکنولوژی Super Junction

  • تعادل عالی بین Rds(on) و Qg

  • تلفات سوئیچینگ پایین

  • دیود بدن با بازیابی سریع

  • پایداری حرارتی خوب

  • قابلیت اطمینان بالا

📊 مشخصات پیشرفته

  • فرکانس کاری تا 100kHz

  • تلفات هدایت بهینه

  • پاسخ سوئیچینگ مناسب

  • مناسب برای کاربردهای صنعتی متوسط

کاربردهای اصلی

🔌 حوزه‌های کاربردی

  • منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی (SMPS)

  • مبدل‌های DC-DC با توان متوسط

  • سیستم‌های UPS

  • مبدل‌های PFC

  • درایور موتورهای صنعتی

  • منابع تغذیه سرور

  • سیستم‌های روشنایی صنعتی

مدار راه‌اندازی پیشنهادی

الزامات درایور گیت

  • ولتاژ درایور گیت: 12V-15V توصیه می‌شود

  • جریان درایور پیک: حداقل 2.5A

  • مقاومت گیت: 2.2-10Ω

  • سرعت سوئیچینگ بهینه: 50-80kHz

پارامترهای حرارتی

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (Rthj-a): 40°C/W

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (Rthj-c): 0.3°C/W

  • حداکثر دمای اتصال (Tjmax): 150°C

نکات حیاتی در طراحی

هشدارهای مهم

  • از مقاومت گیت مناسب استفاده کنید

  • مدیریت حرارتی مناسب ضروری است

  • فیوز حفاظتی در مسیر درین

  • از اتصال کوتاه گیت-سورس جلوگیری کنید

راهکارهای بهینه‌سازی

  • استفاده از PCB با مس ضخیم (1-2oz)

  • خازن‌های بای‌پس سرامیکی با ESR پایین

  • هیت‌سینک با مقاومت حرارتی مناسب

  • مدار snubber برای کاهش spike ولتاژ

مشخصات سوئیچینگ دقیق

زمان‌های سوئیچینگ معمول

  • زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): 18ns

  • زمان افزایش (tr): 35ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): 55ns

  • زمان سقوط (tf): 25ns

پارامترهای دینامیکی

  • انرژی روشن شدن (Eon): 120μJ

  • انرژی خاموش شدن (Eoff): 60μJ

  • انرژی بازیابی معکوس (Err): 15μJ

برنامه‌های کاربردی خاص

طراحی منبع تغذیه صنعتی

  • توپولوژی: Half-Bridge, Full-Bridge

  • فرکانس سوئیچینگ: 50-80kHz

  • قدرت خروجی: تا 2500W

  • راندمان: >94%

مبدل PFC

  • توپولوژی: Boost PFC

  • فرکانس کاری: 50-70kHz

  • ولتاژ خروجی: 400V

  • قدرت خروجی: تا 3000W

محافظت‌ها و ملاحظات

مدارهای حفاظتی پیشنهادی

  • TVS دیود برای حفاظت از گیت

  • RC snubber برای کاهش spike ولتاژ

  • فیوز سریع در مسیر درین

  • حفاظت اضافه دما با NTC

ملاحظات EMC/EMI

  • فیلتر EMI مناسب

  • خازن‌های X/Y برای کاهش نویز

  • طراحی زمین‌سازی مناسب

  • استفاده از فریت بید در صورت نیاز

جمع‌بندی نهایی

TK35N65W یک ماسفت Super Junction با عملکرد عالی است که مزایای زیر را ارائه می‌دهد:

🎯 مزایای کلیدی

  • تعادل عالی بین قیمت و عملکرد

  • تلفات سوئیچینگ پایین

  • قابلیت اطمینان بالا

  • مناسب برای فرکانس‌کاری متوسط

  • دیود بدن با کارایی خوب

💰 مقرون به صرفه برای

  • منابع تغذیه صنعتی

  • سیستم‌های UPS

  • تجهیزات مخابراتی

  • درایورهای موتور

  • سیستم‌های کنترل صنعتی

این قطعه برای طراحانی که به دنبال کارایی خوب، قابلیت اطمینان و هزینه بهینه در کاربردهای صنعتی با توان متوسط هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.