ماسفت MOSFET TK12A60U ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
MOSFET

کد محصول PRD-15003

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

107.190تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت TK12A60U – ترانزیستور قدرت N-Channel

ماسفت TK12A60U یک ترانزیستور قدرت N-Channel است که توسط شرکت توشیبا (Toshiba) تولید شده است. این ماسفت برای کاربردهای های-ولتاژ با کارایی خوب طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی TK12A60U

  • ولتاژ کاری بسیار بالا: 600 ولت – مناسب برای کاربردهای صنعتی پیشرفته

  • کیفیت ساخت عالی: استانداردهای کیفیت توشیبا

  • قابلیت اطمینان بالا: مناسب برای کاربردهای حساس

  • سویچینگ نرم: کاهش نویز EMI در مدارات سوئیچینگ

  • پایداری حرارتی خوب: عملکرد مطمئن در دماهای کاری

  • دیود بدن با بازیابی نرم: کاهش استرس در کاربردهای سوئیچینگ


کاربردهای اصلی

این ماسفت ولتاژ بالا در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان)

  • مبدل‌های Flyback و Forward

  • اینورترهای صنعتی

  • کنترلرهای روشنایی صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه)

  • درایورهای موتور AC

  • شارژرهای باتری صنعتی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 62 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 1.67 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • همیشه از هیت‌سینک استفاده کنید: حتی در جریان‌های متوسط

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 600V

  • حفاظت از گیت ضروری است: استفاده از دیود زنر 18V بین گیت و سورس

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 10kΩ-47kΩ بین گیت و سورس

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • مدار Snubber: استفاده از مدار اسنابر برای کاهش اسپایک ولتاژ


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 25 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 65 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 70 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 40 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.10 mJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.05 mJ


جایگزین‌های مشابه و معادل

  • TK12A60D – مدل مشابه با مشخصات نزدیک

  • IRF840 – از Infineon

  • STP10NB60 – از STMicroelectronics

  • FQP10N60C – از Fairchild/ON Semi

  • 2SK3568 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت TK12A60U یک انتخاب مطمئن و با کیفیت برای کاربردهای ولتاژ بالا است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری بسیار بالا (600V)

  • کیفیت ساخت عالی توشیبا

  • قابلیت اطمینان بالا

  • سویچینگ نرم و کم‌نویز

  • مناسب برای کاربردهای صنعتی حساس

⚠️ محدودیت‌ها:

  • مقاومت Rds(on) نسبتاً بالا (350mΩ)

  • جریان دهی محدود (12A)

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

  • سرعت سوئیچینگ محدود

💰 ایده‌آل برای:

  • منابع تغذیه صنعتی با ولتاژ بالا

  • کنترلرهای روشنایی صنعتی

  • مدارات PFC کوچک و متوسط

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • کاربردهای که قابلیت اطمینان اولویت دارد

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل مطمئن و با کیفیت برای کاربردهای ولتاژ بالا هستند و کیفیت توشیبا برای آنها مهم است، انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET TK12A60U ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی MOSFET
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>)

600V

جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub> @ 25°C) 12A
جریان درین پالسی (I<sub>DM</sub>) 48A
مقاومت درین-سورس روشن (R<sub>DS(on)</sub>) 0.35 Ω (350 mΩ)
بسته‌بندی TO-220F-3
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GSS</sub>) ±30V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET TK12A60U ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن