...

ماسفت MOSFET TK12A50D ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
MOSFET

کد محصول PRD-15004-1

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

83.430تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت TK12A50D – ترانزیستور قدرت N-Channel

ماسفت TK12A50D یک ترانزیستور قدرت N-Channel است که توسط شرکت توشیبا (Toshiba) تولید شده است. این ماسفت برای کاربردهای های-ولتاژ در بسته‌بندی SMD طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی TK12A50D

  • ولتاژ کاری بالا: 500 ولت در بسته‌بندی SMD

  • کیفیت ساخت عالی: استانداردهای کیفیت توشیبا

  • بسته‌بندی SMD: مناسب برای طراحی‌های فشرده

  • جریان دهی مناسب: 12 آمپر برای کاربردهای صنعتی

  • سویچینگ نرم: کاهش نویز EMI در مدارات سوئیچینگ

  • قابلیت اطمینان بالا: مناسب برای کاربردهای حساس


کاربردهای اصلی

این ماسفت ولتاژ بالا SMD در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) فشرده صنعتی

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان) کوچک

  • مبدل‌های Flyback صنعتی

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) کوچک

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • درایورهای موتور AC کوچک

  • مبدل‌های DC-DC ایزوله شده


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.3-0.5 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 80 °C/W (بدون PCB)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 5 °C/W

  • مقاومت حرارتی با PCB مناسب: 40-50 °C/W

نکات حیاتی در طراحی SMD ولتاژ بالا

  • مدیریت حرارتی پیشرفته: استفاده از PCB با مساحت کافی مس (حداقل 4cm²)

  • ویاهای حرارتی: استفاده از ویاهای متعدد برای انتقال حرارت به لایه‌های دیگر

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 500V

  • خازن‌های بای‌پس: خازن‌های سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • حفاظت از گیت: استفاده از TVS دیود SMD برای محافظت

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 100kΩ بین گیت و سورس


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 18 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 55 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 60 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 32 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ عملی: تا 100 kHz


جایگزین‌های مشابه و معادل

  • TK12A50U – نسخه Through-Hole (TO-220)

  • IRF830 – از Infineon

  • STP10NB50 – از STMicroelectronics

  • FQP10N50C – از Fairchild/ON Semi

  • 2SK3562 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت TK12A50D یک انتخاب مطمئن و متعادل برای کاربردهای ولتاژ بالا در طراحی‌های SMD است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری مناسب (500V) در بسته‌بندی SMD

  • کیفیت ساخت عالی توشیبا

  • جریان دهی خوب (12A)

  • قابلیت اطمینان بالا

  • مناسب برای طراحی‌های فشرده

⚠️ محدودیت‌ها:

  • مقاومت Rds(on) نسبتاً بالا (300mΩ)

  • نیاز به مدیریت حرارتی دقیق

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

  • سرعت سوئیچینگ محدود

💰 ایده‌آل برای:

  • منابع تغذیه صنعتی فشرده

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • مدارات PFC کوچک و متوسط

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • محصولات الکترونیکی با فضای محدود و ولتاژ متوسط

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD مطمئن و با کیفیت برای کاربردهای ولتاژ متوسط در فضاهای محدود هستند، انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.