...

ماسفت MOSFET STP5NK80Z ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری
MDmesh™

کد محصول PRD-14956-1-1

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

330.480تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت STP5NK80Z – تکنولوژی MDmesh™

بررسی تخصصی ترانزیستور قدرت ولتاژ بالا

ماسفت STP5NK80Z یک ترانزیستور قدرت پیشرفته مبتنی بر تکنولوژی MDmesh™ است که توسط شرکت STMicroelectronics تولید شده است.

مشخصات فنی جامع

پارامترهای اصلی

  • سری: MDmesh™

  • ولتاژ درین-سورس: 800V

  • جریان درین پیوسته: 4.5A (در 25°C)

  • جریان درین پالسی: 18A

  • مقاومت درین-سورس روشن: 1.2Ω (1200mΩ) در Vgs=10V

  • بسته‌بندی: TO-220

مشخصات کلیدی

  • ولتاژ گیت-سورس: ±30V

  • توان مجاز: 85W

  • دمای اتصال: -55°C تا +150°C

  • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss): 1200pF

  • بار گیت (Qg): 40nC

  • شارژ گیت-سورس (Qgs): 11nC

  • ظرفیت خازنی خروجی (Coss): 90pF

ویژگی‌های منحصر به فرد MDmesh™

✅ مزایای تکنولوژی MDmesh™

  • ولتاژ کاری بالا (800V)

  • تعادل خوب بین Rds(on) و Qg

  • دیود بدن با بازیابی نرم

  • پایداری سوئیچینگ مناسب

  • قابلیت اطمینان بالا در ولتاژهای بالا

📊 مشخصات پیشرفته

  • فرکانس کاری تا 60kHz

  • تلفات هدایت بهینه برای ولتاژ بالا

  • پاسخ سوئیچینگ مناسب

  • مناسب برای کاربردهای ولتاژ بالا

کاربردهای اصلی

🔌 حوزه‌های کاربردی

  • منابع تغذیه سوئیچینگ ولتاژ بالا

  • مبدل‌های Flyback ولتاژ بالا

  • اینورترهای خورشیدی

  • درایور موتورهای ولتاژ بالا

  • سیستم‌های UPS

  • مبدل‌های PFC

  • سیستم‌های کنترل صنعتی

مدار راه‌اندازی پیشنهادی

الزامات درایور گیت

  • ولتاژ درایور گیت: 12V-15V توصیه می‌شود

  • جریان درایور پیک: حداقل 1.2A

  • مقاومت گیت: 4.7-22Ω

  • سرعت سوئیچینگ بهینه: 30-50kHz

محاسبات حرارتی

پارامترهای حرارتی

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (Rthj-a): 62°C/W

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (Rthj-c): 1.5°C/W

  • حداکثر دمای اتصال (Tjmax): 150°C

نکات حیاتی در طراحی

هشدارهای مهم

  • رعایت فاصله عایقی مناسب برای ولتاژ بالا

  • مدیریت حرارتی مناسب ضروری است

  • فیوز حفاظتی در مسیر درین

  • از اتصال کوتاه گیت-سورس جلوگیری کنید

راهکارهای بهینه‌سازی

  • استفاده از PCB با فاصله عایقی کافی

  • خازن‌های بای‌پس سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • هیت‌سینک مناسب برای دفع حرارت

  • مدار snubber برای کاهش spike ولتاژ

مشخصات سوئیچینگ دقیق

زمان‌های سوئیچینگ معمول

  • زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): 20ns

  • زمان افزایش (tr): 40ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): 60ns

  • زمان سقوط (tf): 30ns

پارامترهای دینامیکی

  • انرژی روشن شدن (Eon): 40μJ

  • انرژی خاموش شدن (Eoff): 20μJ

  • انرژی بازیابی معکوس (Err): 7μJ

برنامه‌های کاربردی خاص

طراحی مبدل Flyback ولتاژ بالا

  • فرکانس کاری: 40-60kHz

  • ولتاژ ورودی: 500-700VDC

  • قدرت خروجی: تا 200W

  • راندمان: >89%

طراحی اینورتر خورشیدی

  • فرکانس کاری: 25-45kHz

  • ولتاژ ورودی: 600-800VDC

  • قدرت خروجی: تا 250W

  • راندمان: >91%

محافظت‌ها و ملاحظات

مدارهای حفاظتی پیشنهادی

  • TVS دیود ولتاژ بالا برای حفاظت از گیت

  • RC snubber برای کاهش spike ولتاژ

  • فیوز سریع در مسیر درین

  • حفاظت اضافه دما با NTC

ملاحظات ولتاژ بالا

  • فاصله عایقی کافی روی PCB

  • خازن‌های با ولتاژ کاری مناسب

  • طراحی کریپژ و کلییرنس مناسب

  • استفاده از عایق‌های حرارتی مناسب

جمع‌بندی نهایی

STP5NK80Z یک ماسفت MDmesh™ با ولتاژ کاری بالا است که مزایای زیر را ارائه می‌دهد:

🎯 مزایای کلیدی

  • ولتاژ کاری بالا (800V)

  • تعادل خوب بین Rds(on) و Qg

  • قابلیت اطمینان بالا در ولتاژهای بالا

  • مناسب برای فرکانس‌کاری پایین تا متوسط

  • دیود بدن با کارایی قابل قبول

💰 مقرون به صرفه برای

  • اینورترهای خورشیدی

  • منابع تغذیه ولتاژ بالا

  • سیستم‌های کنترل صنعتی

  • درایورهای موتور ولتاژ بالا

  • تجهیزات UPS

این قطعه برای طراحانی که به دنبال ولتاژ کاری بالا، قابلیت اطمینان و هزینه بهینه در کاربردهای ولتاژ بالا هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.