...

ماسفت MOSFET SPP11N80C3 ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
Super Junction

کد محصول PRD-14943

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

308.610تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت SPP11N80C3 – تکنولوژی Super Junction

بررسی تخصصی ترانزیستور قدرت ولتاژ بالا

ماسفت SPP11N80C3 یک ترانزیستور قدرت پیشرفته مبتنی بر تکنولوژی Super Junction است که توسط شرکت Infineon تولید شده است.

مشخصات فنی جامع

پارامترهای اصلی

  • تکنولوژی: Super Junction

  • ولتاژ درین-سورس: 800V

  • جریان درین پیوسته: 11A (در 25°C)

  • جریان درین پالسی: 44A

  • مقاومت درین-سورس روشن: 0.38Ω (380mΩ) در Vgs=10V

  • بسته‌بندی: TO-220

مشخصات کلیدی

  • ولتاژ گیت-سورس: ±30V

  • توان مجاز: 156W

  • دمای اتصال: -55°C تا +150°C

  • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss): 1600pF

  • بار گیت (Qg): 55nC

  • شارژ گیت-سورس (Qgs): 15nC

  • ظرفیت خازنی خروجی (Coss): 110pF

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای تکنولوژی Super Junction

  • ولتاژ کاری بالا (800V)

  • تعادل خوب بین Rds(on) و Qg

  • دیود بدن با بازیابی سریع

  • پایداری حرارتی مناسب

  • قابلیت اطمینان بالا

📊 مشخصات پیشرفته

  • فرکانس کاری تا 70kHz

  • تلفات هدایت بهینه برای ولتاژ بالا

  • پاسخ سوئیچینگ مناسب

  • مناسب برای کاربردهای ولتاژ بالا

کاربردهای اصلی

🔌 حوزه‌های کاربردی

  • منابع تغذیه سوئیچینگ ولتاژ بالا

  • مبدل‌های Flyback ولتاژ بالا

  • اینورترهای خورشیدی

  • درایور موتورهای ولتاژ بالا

  • سیستم‌های UPS

  • مبدل‌های PFC

  • سیستم‌های کنترل صنعتی

مدار راه‌اندازی پیشنهادی

الزامات درایور گیت

  • ولتاژ درایور گیت: 12V-15V توصیه می‌شود

  • جریان درایور پیک: حداقل 1.5A

  • مقاومت گیت: 3.3-15Ω

  • سرعت سوئیچینگ بهینه: 40-60kHz

پارامترهای حرارتی

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (Rthj-a): 62°C/W

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (Rthj-c): 1.5°C/W

  • حداکثر دمای اتصال (Tjmax): 150°C

نکات حیاتی در طراحی

هشدارهای مهم

  • رعایت فاصله عایقی مناسب برای ولتاژ بالا

  • مدیریت حرارتی مناسب ضروری است

  • فیوز حفاظتی در مسیر درین

  • از اتصال کوتاه گیت-سورس جلوگیری کنید

راهکارهای بهینه‌سازی

  • استفاده از PCB با فاصله عایقی کافی

  • خازن‌های بای‌پس سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • هیت‌سینک مناسب برای دفع حرارت

  • مدار snubber برای کاهش spike ولتاژ

مشخصات سوئیچینگ دقیق

زمان‌های سوئیچینگ معمول

  • زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): 18ns

  • زمان افزایش (tr): 35ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): 55ns

  • زمان سقوط (tf): 25ns

پارامترهای دینامیکی

  • انرژی روشن شدن (Eon): 50μJ

  • انرژی خاموش شدن (Eoff): 25μJ

  • انرژی بازیابی معکوس (Err): 8μJ

برنامه‌های کاربردی خاص

طراحی مبدل Flyback ولتاژ بالا

  • فرکانس کاری: 50-70kHz

  • ولتاژ ورودی: 500-700VDC

  • قدرت خروجی: تا 300W

  • راندمان: >90%

طراحی اینورتر خورشیدی

  • فرکانس کاری: 30-50kHz

  • ولتاژ ورودی: 600-800VDC

  • قدرت خروجی: تا 500W

  • راندمان: >92%

محافظت‌ها و ملاحظات

مدارهای حفاظتی پیشنهادی

  • TVS دیود ولتاژ بالا برای حفاظت از گیت

  • RC snubber برای کاهش spike ولتاژ

  • فیوز سریع در مسیر درین

  • حفاظت اضافه دما با NTC

ملاحظات ولتاژ بالا

  • فاصله عایقی کافی روی PCB

  • خازن‌های با ولتاژ کاری مناسب

  • طراحی کریپژ و کلییرنس مناسب

  • استفاده از عایق‌های حرارتی مناسب

جمع‌بندی نهایی

SPP11N80C3 یک ماسفت Super Junction با ولتاژ کاری بالا است که مزایای زیر را ارائه می‌دهد:

🎯 مزایای کلیدی

  • ولتاژ کاری بالا (800V)

  • تعادل خوب بین Rds(on) و Qg

  • قابلیت اطمینان بالا در ولتاژهای بالا

  • مناسب برای فرکانس‌کاری متوسط

  • دیود بدن با کارایی خوب

💰 مقرون به صرفه برای

  • اینورترهای خورشیدی

  • منابع تغذیه ولتاژ بالا

  • سیستم‌های کنترل صنعتی

  • درایورهای موتور ولتاژ بالا

  • تجهیزات UPS

این قطعه برای طراحانی که به دنبال ولتاژ کاری بالا، قابلیت اطمینان و هزینه بهینه در کاربردهای ولتاژ بالا هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.