...

ماسفت MOSFET IRFU9120NPBF ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری
P-Channel

کد محصول PRD-14973

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

210.060تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRFU9120NPBF – ترانزیستور قدرت P-Channel HEXFET®

ماسفت IRFU9120NPBF یک ترانزیستور قدرت P-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای فضای محدود طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFU9120NPBF

  • ولتاژ کاری مناسب: 100V- برای کاربردهای صنعتی

  • بسته‌بندی SMD: ایده‌آل برای فضاهای محدود

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> پایین: 280 میلی‌اهم برای P-Channel

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

  • دیود بدن داخلی: دارای دیود بدن (Body Diode) با قابلیت بازیابی

  • حفاظت از شارژ استاتیک: دارای ساختار protected gate


کاربردهای اصلی

این ماسفت P-Channel در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • سویچ بار (Load Switch) ساید High-Side

  • کنترلرهای منبع تغذیه با پلاریته منفی

  • مدارات محافظت Reverse Polarity

  • سیستم‌های مدیریت باتری

  • مبدل‌های DC-DC با توپولوژی خاص

  • کنترلرهای روشن/خاموش در دستگاه‌های پرتابل

  • درایورهای موتور DC کوچک

  • مدارات قطع کننده بار (Load Disconnect)


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت (مهم):

  • ولتاژ درایو گیت: -10 V تا -12 V برای روشن شدن کامل

  • ولتاژ گیت برای خاموشی: 0 V تا +5 V (نسبت به سورس)

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 80 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 5 °C/W

نکات حیاتی در طراحی P-Channel

  • پلاریته معکوس: همیشه به پلاریته منفی ولتاژهای V<sub>DS</sub> و V<sub>GS</sub> توجه کنید

  • درایور گیت مناسب: برای روشن کردن نیاز به ولتاژ منفی نسبت به سورس دارید

  • مدیریت حرارتی در SMD: مساحت کافی مس روی PCB برای تخلیه حرارت

  • حفاظت از اسپایک: استفاده از TVS دیود برای محافظت در برابر اسپایک ولتاژ

  • مقاومت Pull-Up: یک مقاومت 47kΩ-100kΩ بین گیت و سورس برای خاموشی مطمئن


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 15 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 35 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 45 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 25 ns


جایگزین‌های مشابه

  • IRF9310 – مشخصات مشابه

  • SI2345 – از Vishay

  • FDC653P – از Fairchild/ON Semi

  • NDP6020P – از Fairchild/ON Semi


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFU9120NPBF یک انتخاب عالی برای طراحی‌های SMD که نیاز به P-Channel دارند.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • بسته‌بندی SMD برای فضاهای محدود

  • ولتاژ کاری 100V- مناسب

  • مقاومت Rds(on) خوب برای P-Channel

  • سرعت سوئیچینگ مناسب

  • ساده‌سازی طراحی در سویچ ساید High

⚠️ محدودیت‌ها:

  • جریان دهی محدود (3.7A-)

  • نیاز به درایور گیت با پلاریته منفی

  • مدیریت حرارتی چالش‌برانگیز در بسته‌بندی SMD

💰 مقرون به صرفه برای:

  • Load Switch های صنعتی SMD

  • کنترلرهای منبع تغذیه پرتابل

  • سیستم‌های مدیریت باتری

  • مدارات محافظت Reverse Polarity

  • دستگاه‌های الکترونیکی پرتابل

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD کارآمد برای سویچینگ ساید High با جریان متوسط هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.