...

ماسفت MOSFET IRFU9024NPBF ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
کانال
P-Channel

کد محصول PRD-14982

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

169.290تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRFU9024NPBF – ترانزیستور قدرت P-Channel HEXFET®

ماسفت IRFU9024NPBF یک ترانزیستور قدرت P-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای فضای محدود با نیاز به عملکرد P-Channel طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFU9024NPBF

  • بسته‌بندی SMD: ایده‌آل برای فضاهای محدود و تولید انبوه

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> پایین: 180 میلی‌اهم برای P-Channel SMD

  • جریان دهی خوب: 12- آمپر در بسته‌بندی کوچک

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای PWM

  • حفاظت از شارژ استاتیک: دارای ساختار protected gate

  • فرآیند بدون سرب (Pb-Free): مطابق با استانداردهای زیست محیطی


کاربردهای اصلی

این ماسفت P-Channel SMD در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • سویچ بار (Load Switch) ساید High-Side در بردهای فشرده

  • کنترلرهای منبع تغذیه دستگاه‌های پرتابل

  • مدارات محافظت Reverse Polarity در طراحی‌های SMD

  • سیستم‌های مدیریت باتری (BMS) برای دستگاه‌های قابل حمل

  • کنترلرهای روشن/خاموش در الکترونیک مصرفی

  • درایورهای موتور DC کوچک و متوسط

  • مدارات قطع کننده بار (Load Disconnect) در سیستم‌های embedded

  • منابع تغذیه سوئیچینگ با تراکم بالا


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت (مهم):

  • ولتاژ درایو گیت: -10 V تا -12 V برای روشن شدن کامل

  • ولتاژ گیت برای خاموشی: 0 V تا +5 V (نسبت به سورس)

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 80 °C/W (بدون PCB)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 5 °C/W

  • مقاومت حرارتی با PCB مناسب: 40-50 °C/W

نکات حیاتی در طراحی SMD

  • مدیریت حرارتی در SMD: استفاده از مساحت کافی مس روی PCB برای تخلیه حرارت

  • ویاهای حرارتی: استفاده از ویاهای متعدد برای انتقال حرارت به لایه‌های دیگر

  • پلاریته معکوس: توجه به پلاریته منفی ولتاژهای V<sub>DS</sub> و V<sub>GS</sub>

  • حفاظت از اسپایک: استفاده از TVS دیود SMD برای محافظت در برابر اسپایک ولتاژ

  • مقاومت Pull-Up: یک مقاومت 100kΩ بین گیت و سورس برای خاموشی مطمئن

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی نزدیک پایه‌ها


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 50 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 50 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 30 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ: تا 150 kHz


جایگزین‌های مشابه

  • IRFU9024 – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • SI2345DS – از Vishay

  • FDC653P – از Fairchild/ON Semi

  • NDP6020P – از Fairchild/ON Semi

  • TPC8107 – از Taiwan Semiconductor


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFU9024NPBF یک انتخاب عالی برای طراحی‌های SMD فشرده که نیاز به P-Channel دارند.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • بسته‌بندی SMD برای فضاهای محدود

  • مقاومت Rds(on) خوب برای P-Channel SMD

  • جریان دهی مناسب (12A-)

  • سرعت سوئیچینگ بالا

  • مناسب برای تولید انبوه

⚠️ محدودیت‌ها:

  • مدیریت حرارتی چالش‌برانگیز در بسته‌بندی SMD

  • جریان دهی محدود نسبت به نسخه Through-Hole

  • نیاز به طراحی PCB حرفه‌ای برای مدیریت حرارت

💰 مقرون به صرفه برای:

  • Load Switch های SMD صنعتی

  • کنترلرهای منبع تغذیه پرتابل

  • سیستم‌های مدیریت باتری دستگاه‌های قابل حمل

  • مدارات محافظت Reverse Polarity در طراحی‌های فشرده

  • محصولات الکترونیکی مصرفی و صنعتی فشرده

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD کارآمد برای سویچینگ ساید High با جریان متوسط در فضاهای محدود هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.