ماسفت MOSFET IRFU220NPBF ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
HEXFET®

کد محصول PRD-14984

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

66.150تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRFU220NPBF – ترانزیستور قدرت N-Channel HEXFET®

ماسفت IRFU220NPBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای فضای محدود با نیاز به ولتاژ بالا طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFU220NPBF

  • ولتاژ بالا 200V: مناسب برای کاربردهای صنعتی در طراحی SMD

  • بسته‌بندی SMD: ایده‌آل برای فضاهای محدود

  • بار گیت پایین: 18 nC – درایو ساده

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت اینفینون

  • فرآیند بدون سرب (Pb-Free): مطابق با RoHS


کاربردهای اصلی

این ماسفت SMD ولتاژ بالا در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) فشرده صنعتی

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان) کوچک

  • مبدل‌های Flyback و Forward

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) کوچک

  • درایورهای موتور AC کوچک

  • مبدل‌های DC-DC ایزوله شده

  • شارژرهای باتری صنعتی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.3-0.5 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 80 °C/W (بدون PCB)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 5 °C/W

  • مقاومت حرارتی با PCB مناسب: 40-50 °C/W

نکات حیاتی در طراحی SMD ولتاژ بالا

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 200V

  • مدیریت حرارتی: استفاده از مساحت کافی مس روی PCB (حداقل 4cm²)

  • ویاهای حرارتی: استفاده از ویاهای متعدد برای انتقال حرارت

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • حفاظت از گیت: استفاده از TVS دیود SMD 18V برای محافظت

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 100kΩ بین گیت و سورس


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 50 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 50 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 30 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 25 μJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 12 μJ


جایگزین‌های مشابه

  • IRFU220 – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • STP4NK50Z – از STMicroelectronics

  • FQP4N50 – از Fairchild/ON Semi (نسخه Through-Hole)

  • IPA50R280CE – از Infineon (نسخه جدیدتر)

  • 2SK3918 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFU220NPBF یک انتخاب تخصصی برای طراحی‌های SMD ولتاژ بالا است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری بالا (200V) در بسته‌بندی SMD

  • بار گیت پایین (18nC) – درایو ساده

  • سرعت سوئیچینگ خوب

  • مناسب برای فرکانس‌کاری متوسط

  • قابلیت اطمینان بالا

⚠️ محدودیت‌ها:

  • جریان دهی محدود (4.3A)

  • مقاومت Rds(on) نسبتاً بالا

  • مدیریت حرارتی چالش‌برانگیز

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

💰 مقرون به صرفه برای:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی فشرده

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • مدارات PFC کوچک

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • محصولات الکترونیکی با ولتاژ بالا و فضای محدود

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD مطمئن برای کاربردهای ولتاژ بالا در فضاهای محدود هستند، انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRFU220NPBF ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی HEXFET®
ولتاژ درین-سورس

200V

جریان درین پیوسته 4.3A
جریان درین پالسی 17A
مقاومت درین-سورس روشن 0.80 Ω (800 mΩ)
بسته‌بندی TO-251
ولتاژ گیت-سورس ±30V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRFU220NPBF ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن