ماسفت MOSFET IRFR3710ZTRPBF SMD ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
HEXFET®

کد محصول PRD-14988-1

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

119.610تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRFR3710ZTRPBF – ترانزیستور قدرت N-Channel HEXFET®

ماسفت IRFR3710ZTRPBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel پیشرفته از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای های-ولتاژ با فضای محدود طراحی شده است

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFR3710ZTRPBF

  • ولتاژ کاری بالا: 100 ولت – مناسب برای کاربردهای صنعتی

  • جریان دهی عالی: 40 آمپر در بسته‌بندی SMD

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> پایین: 25 میلی‌اهم – کارایی بسیار بالا

  • بسته‌بندی D²PAK: طراحی شده برای تخلیه حرارتی عالی

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت اینفینون


کاربردهای اصلی

این ماسفت پرتوان SMD در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان)

  • درایورهای موتور DC و BLDC پرتوان

  • مبدل‌های DC-DC صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه)

  • کنترلرهای روشنایی صنعتی

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • اینورترهای سولار


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 10-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 1-2 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 4.7 تا 22 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-150 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 40 °C/W (با PCB مناسب)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 1.0 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • مدیریت حرارتی پیشرفته: استفاده از PCB با لایه‌های مس ضخیم (2-4 اونس)

  • ویاهای حرارتی متعدد: حداقل 20-30 ویا زیر پد حرارتی

  • مسیرهای عریض: برای پایه‌های درین و سورس

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 100V

  • درایور گیت مناسب: استفاده از درایور گیت با قابلیت جریان کافی

  • خازن‌های بای‌پس: خازن‌های سرامیکی با ولتاژ کاری بالا


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 15 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 35 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 40 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 25 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.12 mJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.06 mJ


جایگزین‌های مشابه

  • IRFR3710Z – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • IRFR3720Z – ولتاژ بالاتر (200V)

  • STP55NF10 – از STMicroelectronics

  • FDP55N10 – از Fairchild/ON Semi

  • IXFH40N10 – از IXYS


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFR3710ZTRPBF یک انتخاب عالی و متعادل برای کاربردهای صنعتی با ولتاژ و جریان بالا است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری مناسب 100V

  • جریان دهی عالی (40A) در بسته‌بندی SMD

  • مقاومت Rds(on) پایین (25mΩ)

  • سرعت سوئیچینگ خوب

  • قابلیت اطمینان بالا

⚠️ محدودیت‌ها و هشدارها:

  • نیاز به مدیریت حرارتی دقیق

  • نیاز به طراحی PCB مناسب

  • بار گیت نسبتاً بالا (64nC)

  • نیاز به هیت‌سینک مناسب در کاربردهای پرتوان

💰 کاربردهای تخصصی:

  • منابع تغذیه صنعتی 48V

  • درایورهای موتور صنعتی

  • سیستم‌های UPS صنعتی

  • کنترلرهای روشنایی صنعتی

  • تجهیزات مخابراتی پرتوان

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل مطمئن و پرتوان برای کاربردهای صنعتی با ولتاژ متوسط در فضاهای محدود هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRFR3710ZTRPBF SMD ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی HEXFET®
ولتاژ درین-سورس

100V

جریان درین پیوسته 40A
جریان درین پالسی 160A
مقاومت درین-سورس روشن 0.025 Ω (25 mΩ)
بسته‌بندی D²PAK
ولتاژ گیت-سورس ±20V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRFR3710ZTRPBF SMD ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن