...

ماسفت MOSFET IRFP4668PBF ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری
HEXFET®

کد محصول PRD-14968

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

327.510تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRFP4668PBF – ترانزیستور قدرت HEXFET®

ماسفت IRFP4668PBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده معروف HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت برای کاربردهای پرتوان و فرکانس پایین طراحی شده و دارای قابلیت تحمل جریان بسیار بالا می‌باشد.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFP4668PBF

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> بسیار پایین: تنها 6.5 میلی‌اهم – تلفات هدایت بسیار کم

  • جریان دهی بسیار بالا: تا 130 آمپر در دمای 25°C

  • قابلیت تحمل توان بسیار بالا: تا 520 وات

  • دمای اتصال بالا: امکان کار تا 175°C

  • دیود بدن داخلی: دارای دیود بدن (Body Diode) با قابلیت بازیابی

  • قابلیت اطمینان بالا: مناسب برای کاربردهای صنعتی سنگین


کاربردهای اصلی

این ماسفت فوق‌پرانرژی در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • درایورهای موتور DC و AC پرتوان

  • کنترل‌کننده‌های سرعت موتور صنعتی

  • منابع تغذیه سوئیچینگ پرتوان

  • اینورترهای جوشکاری

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) صنعتی

  • مبدل‌های DC-DC پرتوان

  • کنترل‌کننده‌های توان صنعتی

  • سیستم‌های ترمز احیاکننده


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 10-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 4-5 A (به دلیل Qg بالا)

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 1 تا 4.7 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: تا 50 kHz (به دلیل ظرفیت خازنی بالا)

محاسبات حرارتی حیاتی

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 0.5 °C/W (با هیت‌سینک ایده‌آل)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 0.24 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • هیت‌سینک بزرگ و مناسب: این قطعه به دلیل توان بالای خود نیاز به هیت‌سینک بسیار بزرگ دارد.

  • خنک‌کننده فعال: در بسیاری از کاربردها خنک‌کننده فن دار.

  • مسیرهای PCB بسیار عریض: استفاده از مس 2-3 اونس با عرض زیاد برای پایه‌های درین و سورس.

  • خازن‌های بای‌پس پرتوان: استفاده از خازن‌های سرامیکی و الکترولیتیک با ESR پایین.

  • درایور گیت قوی: استفاده از درایور گیت اختصاصی با قابلیت ارائه جریان بالا.

  • حفاظت از اضافه جریان: استفاده از فیوزهای سریع یا مدارهای شنت جریان.


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 25 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 110 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 70 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 60 ns


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFP4668PBF یک انتخاب ابرقدرتمند برای کاربردهای صنعتی سنگین است که نیاز به کنترل جریان‌های بسیار بالا دارند.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • جریان دهی بسیار بالا (130A)

  • مقاومت Rds(on) فوق‌العاده پایین (6.5mΩ)

  • قابلیت تحمل توان بسیار زیاد (520W)

  • ساخت robust و قابل اعتماد

⚠️ محدودیت‌ها:

  • بار گیت بسیار بالا (210nC) – نیاز به درایور قوی

  • سرعت سوئیچینگ محدود – مناسب برای فرکانس‌های پایین

  • نیاز به سیستم خنک‌کنندگی بسیار قوی

این قطعه برای طراحانی که به دنبال کنترل توان‌های بسیار بالا در فرکانس‌های پایین هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.