...

ماسفت MOSFET IRFP048 ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری
HEXFET®

کد محصول PRD-14971

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

255.150تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRFP048 – ترانزیستور قدرت HEXFET®

ماسفت IRFP048 یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده کلاسیک HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت جزء نسل قدیمی‌تر اما بسیار مطمئن و پرکاربرد در صنعت می‌باشد.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFP048

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> بسیار پایین: تنها 18 میلی‌اهم – تلفات هدایت بسیار کم

  • جریان دهی بسیار بالا: تا 60 آمپر در دمای 25°C

  • ولتاژ 60 ولت: مناسب برای کاربردهای Low-Voltage High-Current

  • قابلیت اطمینان اثبات شده: decades of field performance

  • دیود بدن داخلی: دارای دیود بدن (Body Diode) با قابلیت بازیابی

  • هزینه بسیار مناسب: اقتصادی برای کاربردهای پرتوان


کاربردهای اصلی

این ماسفت فوق‌پرانرژی در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • درایورهای موتور DC بسیار پرتوان

  • کنترل‌کننده‌های سرعت موتور صنعتی

  • منابع تغذیه سوئیچینگ Low-Voltage High-Current

  • مبدل‌های DC-DC Buck/Boost پرتوان

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه)

  • اینورترهای جوشکاری

  • کنترل‌کننده‌های توان صنعتی

  • سیستم‌های ترمز احیاکننده

  • منابع تغذیه سرور و کامپیوتر


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 10-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 3-4 A (به دلیل Qg بالا)

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 1 تا 4.7 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: تا 50 kHz (به دلیل ظرفیت خازنی بالا)

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 0.7 °C/W (با هیت‌سینک مناسب)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 0.45 °C/W

    نکات حیاتی در طراحی

    • هیت‌سینک بزرگ و مناسب: این قطعه به دلیل توان بالای خود نیاز به هیت‌سینک بزرگ دارد

    • خنک‌کننده فعال: در کاربردهای پرتوان خنک‌کننده فن دار

    • مسیرهای PCB بسیار عریض: استفاده از مس 2-3 اونس با عرض زیاد برای پایه‌های درین و سورس

    • خازن‌های بای‌پس پرتوان: استفاده از خازن‌های سرامیکی و الکترولیتیک با ESR پایین

    • درایور گیت قوی: استفاده از درایور گیت اختصاصی با قابلیت ارائه جریان بالا

    • حفاظت از اضافه جریان: استفاده از فیوزهای سریع یا مدارهای شنت جریان


    مشخصات سوئیچینگ

    • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns

    • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 90 ns

    • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 65 ns

    • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 50 ns

    • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.8 mJ

    • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.4 mJ


    جایگزین‌های مدرن

    با توجه به قدیمی بودن این مدل، جایگزین‌های بهتری موجود است:

    • IRFP4368PBF – مشخصات مشابه با performance بهتر

    • IRFP4232PBF – ولتاژ بالاتر با جریان مشابه

    • IXFH60N20 – سرعت سوئیچینگ بهتر


    جمع‌بندی نهایی

    ماسفت IRFP048 یک انتخاب کلاسیک و اثبات شده برای کاربردهای Low-Voltage High-Current است.

    🎯 مزایای نهایی این قطعه:

    • جریان دهی بسیار بالا (60A)

    • مقاومت Rds(on) فوق‌العاده پایین (18mΩ)

    • قابلیت اطمینان اثبات شده در طول دهه‌ها

    • قیمت بسیار اقتصادی

    ⚠️ محدودیت‌ها:

    • تکنولوژی قدیمی – performance پایین‌تر از نسل جدید

    • بار گیت بسیار بالا (130nC) – نیاز به درایور قوی

    • سرعت سوئیچینگ محدود – مناسب برای فرکانس‌های پایین

    • نیاز به سیستم خنک‌کنندگی قوی

    💰 مقرون به صرفه برای:

    • درایورهای موتور DC صنعتی

    • منابع تغذیه 12V/24V پرتوان

    • سیستم‌های کنترل توان صنعتی

    • پروژه‌های آموزشی و آزمایشگاهی

    این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل مطمئن و اقتصادی برای کاربردهای Low-Voltage High-Current هستند، هنوز هم انتخابی قابل اعتماد محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.