...

ماسفت MOSFET IRFB3207Z ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
HEXFET®

کد محصول PRD-14976

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

156.060تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRFB3207Z – ترانزیستور قدرت HEXFET®

ماسفت IRFB3207Z یک ترانزیستور قدرت N-Channel پیشرفته از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت به‌طور خاص برای کاربردهای Low-Voltage با مقاومت کانال فوق‌العاده پایین طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFB3207Z

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> فوق‌العاده پایین: تنها 1.6 میلی‌اهم – از پایین‌ترین مقادیر در بازار

  • جریان دهی بسیار بالا: 210 آمپر در دمای 25°C – استثنایی

  • تلفات هدایت نزدیک به صفر: ایده‌آل برای کاربردهای High-Current

  • پکیج TO-220 معمولی: با عملکرد فوق‌العاده

  • دیود بدن با کارایی بالا: بازیابی سریع برای کاربردهای سوئیچینگ

  • قابلیت اطمینان در جریان‌های بالا: تست شده برای کاربردهای سخت


کاربردهای اصلی

این ماسفت فوق‌پرانرژی در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • کنترل‌کننده‌های موتور DC بسیار پرتوان

  • منابع تغذیه سوئیچینگ با جریان خروجی بسیار بالا

  • مبدل‌های Buck/Boost پرجریان

  • سیستم‌های جوشکاری اینورتری پرتوان

  • درایورهای سروو موتور صنعتی سنگین

  • منابع تغذیه برای ماشین‌های CNC

  • سیستم‌های مدیریت باتری (BMS) برای خودروهای الکتریکی

  • اینورترهای سولار پرتوان


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 10-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 5-6 A (به دلیل Qg بسیار بالا)

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 0.5 تا 2.2 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 20-100 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 40 °C/W (با هیت‌سینک ایده‌آل)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 0.5 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • هیت‌سینک بسیار بزرگ و فعال: این قطعه حتی در جریان‌های متوسط نیاز به هیت‌سینک بزرگ با فن دارد

  • خنک‌کننده آبی: در کاربردهای پرتوان ممکن است نیاز به خنک‌کننده آبی باشد

  • مسیرهای PCB فوق‌العاده عریض: استفاده از مس 4 اونس با عرض بسیار زیاد (حداقل 50mm)

  • چند لایه مس: استفاده از PCB های چند لایه با لایه‌های مس ضخیم

  • درایور گیت بسیار قوی: استفاده از درایور گیت اختصاصی با قابلیت جریان 6A+

  • حفاظت از اتصال کوتاه: استفاده از سنسور جریان هال افکت و مدار قطع سریع


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 15 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 45 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 50 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 30 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.25 mJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.15 mJ


جایگزین‌های مشابه

  • IRFB4110GPBF – ولتاژ بالاتر (100V) با جریان کمتر

  • IXFH210N10T – از IXYS با مشخصات مشابه

  • STP220N10F7 – از STMicroelectronics

  • FDP110N10F – از Fairchild/ON Semi


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFB3207Z یک انتخاب فوق‌العاده حرفه‌ای برای کاربردهای Low-Voltage Ultra-High-Current است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • مقاومت Rds(on) فوق‌پایین (1.6mΩ) – از بهترین‌ها در بازار

  • جریان دهی استثنایی (210A)

  • تلفات هدایت نزدیک به صفر

  • قابلیت اطمینان در شرایط سخت

⚠️ محدودیت‌ها و هشدارها:

  • نیاز به سیستم خنک‌کنندگی بسیار بسیار قوی

  • نیاز به درایور گیت فوق‌قوی

  • طراحی PCB بسیار حرفه‌ای مورد نیاز

  • قیمت بالا

  • فقط برای طراحان بسیار حرفه‌ای توصیه می‌شود

💰 کاربردهای تخصصی:

  • درایورهای موتور خودروهای الکتریکی

  • منابع تغذیه صنعتی فوق‌پرانرژی

  • سیستم‌های جوشکاری صنعتی سنگین

  • مبدل‌های DC-DC برای سیستم‌های مخابراتی پرتوان

  • سیستم‌های UPS صنعتی بسیار پرتوان

این قطعه برای طراحانی که به دنبال حداکثر کارایی در کاربردهای فوق‌پرجریان هستند و تخصص کافی در مدیریت حرارتی و طراحی PCB دارند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.