ماسفت MOSFET IRF9Z34NPBF ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
کانال
P-Channel

کد محصول PRD-14980

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

55.080تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRF9Z34NPBF – ترانزیستور قدرت P-Channel HEXFET®

ماسفت IRF9Z34NPBF یک ترانزیستور قدرت P-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت برای کاربردهای سویچینگ ساید High-Side با ولتاژ متوسط طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRF9Z34NPBF

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> پایین برای P-Channel: 100 میلی‌اهم – کارایی خوب

  • جریان دهی مناسب: 16- آمپر برای کاربردهای عمومی

  • ولتاژ کاری 55V-: مناسب برای سیستم‌های 12V تا 48V

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای PWM

  • دیود بدن داخلی: دارای دیود بدن (Body Diode) با قابلیت بازیابی

  • قیمت اقتصادی: مقرون به صرفه برای تولید انبوه


کاربردهای اصلی

این ماسفت P-Channel در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • سویچ بار (Load Switch) ساید High-Side

  • کنترلرهای منبع تغذیه با پلاریته منفی

  • مدارات محافظت Reverse Polarity

  • سیستم‌های مدیریت باتری

  • کنترلرهای روشن/خاموش در دستگاه‌های صنعتی

  • درایورهای موتور DC پلاریته منفی

  • مدارات قطع کننده بار (Load Disconnect)

  • مبدل‌های DC-DC با توپولوژی خاص


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت (مهم):

  • ولتاژ درایو گیت: -10 V تا -12 V برای روشن شدن کامل

  • ولتاژ گیت برای خاموشی: 0 V تا +5 V (نسبت به سورس)

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 10 تا 47 Ω

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 62 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 1.4 °C/W

نکات حیاتی در طراحی P-Channel

  • پلاریته معکوس: همیشه به پلاریته منفی ولتاژهای V<sub>DS</sub> و V<sub>GS</sub> توجه کنید

  • درایور گیت مناسب: برای روشن کردن نیاز به ولتاژ منفی نسبت به سورس دارید

  • مقاومت Pull-Up: یک مقاومت 47kΩ بین گیت و سورس برای خاموشی مطمئن

  • حفاظت از اسپایک: استفاده از TVS دیود برای محافظت در برابر اسپایک ولتاژ

  • هیت‌سینک: برای جریان‌های بالاتر از 5A حتماً از هیت‌سینک استفاده کنید


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 25 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 70 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 65 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 40 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ: تا 100 kHz


جایگزین‌های مشابه

  • IRF9Z34 – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • FQP27P06 – از Fairchild/ON Semi

  • STP16PF06 – از STMicroelectronics

  • RFP12P10 – از Fairchild


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRF9Z34NPBF یک انتخاب متعادل و قابل اعتماد برای کاربردهای P-Channel با توان متوسط است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • مقاومت Rds(on) خوب برای P-Channel

  • جریان دهی مناسب (16A-)

  • قیمت مقرون به صرفه

  • سرعت سوئیچینگ مناسب

  • ساده‌سازی طراحی در سویچ ساید High

⚠️ محدودیت‌ها:

  • ولتاژ کاری محدود به 55V-

  • نیاز به درایور گیت با پلاریته منفی

  • گزینه‌های کم‌تر نسبت به N-Channel

💰 مقرون به صرفه برای:

  • Load Switch های صنعتی

  • کنترلرهای منبع تغذیه

  • سیستم‌های مدیریت باتری

  • مدارات محافظت Reverse Polarity

  • دستگاه‌های الکترونیکی صنعتی

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل مطمئن و اقتصادی برای سویچینگ ساید High با جریان متوسط هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRF9Z34NPBF ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
کانال P-Channel
ولتاژ درین-سورس

-55V

جریان درین پیوسته -16A
جریان درین پالسی -64A
مقاومت درین-سورس روشن 0.10 Ω (100 mΩ)
بسته‌بندی TO-220
ولتاژ گیت-سورس ±20V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRF9Z34NPBF ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن