...

ماسفت MOSFET IRF830PBF ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
HEXFET®

کد محصول PRD-14978

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

101.250تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRF830PBF – ترانزیستور قدرت HEXFET®

ماسفت IRF830PBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel کلاسیک و بسیار محبوب از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت جزء نسل قدیمی‌تر اما بسیار مطمئن و پرکاربرد در صنعت الکترونیک قدرت می‌باشد.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRF830PBF

  • ولتاژ بالا 500V: مناسب برای کاربردهای صنعتی عمومی

  • قابلیت اطمینان اثبات شده: دهه‌ها استفاده موفق در صنعت

  • قیمت بسیار اقتصادی: از مقرون به صرفه‌ترین قطعات در رده خود

  • در دسترس بودن عالی: موجود در تمامی بازارهای جهانی

  • سازگاری بالا: جایگزین مستقیم برای بسیاری از مدل‌های مشابه

  • پشتیبانی گسترده: مستندات فراوان و نمونه‌های طراحی متعدد


کاربردهای اصلی

این ماسفت در طیف وسیعی از کاربردهای صنعتی استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) کوچک و متوسط

  • درایورهای موتور DC و استپر موتور

  • مدارهای اینورتر ساده

  • کنترل‌کننده‌های روشنایی صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) کوچک

  • مبدل‌های DC-DC صنعتی

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • پروژه‌های آموزشی و آزمایشگاهی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.3-0.5 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 20-40 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 62 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 2.08 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • همیشه از هیت‌سینک استفاده کنید: حتی در جریان‌های پایین

  • حفاظت از گیت ضروری است: استفاده از دیود زنر 15V بین گیت و سورس

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 10kΩ-47kΩ بین گیت و سورس

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی نزدیک پایه‌ها

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 500V

  • محدودیت جریان: استفاده از فیوز یا مدار محدود کننده جریان


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 30 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 80 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 80 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 50 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ عملی: تا 50 kHz


جایگزین‌های مشابه و معادل

  • IRF830 – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • STP4NB50 – از STMicroelectronics

  • FQP4N50C – از Fairchild/ON Semi

  • BUZ73 – معادل قدیمی

  • 2SK2694 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRF830PBF یک انتخاب اقتصادی و مطمئن برای کاربردهای عمومی با توان متوسط است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • قیمت بسیار مقرون به صرفه

  • قابلیت اطمینان اثبات شده

  • در دسترس بودن عالی

  • مستندات و نمونه‌های طراحی فراوان

  • مناسب برای فرکانس‌کاری پایین تا متوسط

⚠️ محدودیت‌ها:

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

  • مقاومت Rds(on) بالا

  • جریان دهی محدود

  • سرعت سوئیچینگ پایین

💰 ایده‌آل برای:

  • پروژه‌های آموزشی و دانشگاهی

  • منابع تغذیه صنعتی کوچک

  • درایورهای موتور با توان پایین

  • سیستم‌های کنترل روشنایی ساده

  • طراحی‌های اقتصادی با حجم بالا

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل ساده، اقتصادی و tested برای کاربردهای غیرحساس با توان متوسط هستند، هنوز هم انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.