...

ماسفت MOSFET IRF7416PBF SMD ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
Dual HEXFET®

کد محصول PRD-14988

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

59.950تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRF7416PBF – ترانزیستور قدرت N-Channel HEXFET®

ماسفت IRF7416PBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel پیشرفته از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای های-کارنت با فضای محدود طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRF7416PBF

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> فوق‌العاده پایین: 8.5 میلی‌اهم – کارایی بسیار بالا

  • جریان دهی عالی: 13 آمپر در بسته‌بندی SMD

  • بسته‌بندی D²PAK: طراحی شده برای تخلیه حرارتی عالی

  • Logic-Level Gate: قابلیت درایو با ولتاژهای پایین (4.5V به بالا)

  • سویچینگ بسیار سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت اینفینون


کاربردهای اصلی

این ماسفت پرتوان SMD در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • مبدل‌های Synchronous Buck پرتوان

  • منابع تغذیه سوئیچینگ برای سرور و تجهیزات شبکه

  • سیستم‌های مدیریت باتری (BMS) پیشرفته

  • درایورهای موتور DC و BLDC پرتوان

  • مبدل‌های DC-DC با چگالی توان بالا

  • بارهای سمت پایین (Low-Side Loads) پرجریان

  • سیستم‌های توزیع توان در خودروهای الکتریکی

  • شارژرهای سریع صنعتی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 5-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 1-2 A (به دلیل C<sub>iss</sub> بالا)

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 4.7 تا 22 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 100-300 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 40 °C/W (با PCB مناسب)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 1.5 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • مدیریت حرارتی پیشرفته: استفاده از PCB با لایه‌های مس ضخیم (2-4 اونس)

  • ویاهای حرارتی متعدد: حداقل 15-25 ویا زیر پد حرارتی

  • مسیرهای فوق‌العاده عریض: برای پایه‌های درین و سورس

  • درایور گیت قوی: استفاده از درایور گیت اختصاصی با قابلیت جریان 2A+

  • خازن‌های بای‌پس: خازن‌های سرامیکی با ESR پایین بسیار نزدیک پایه‌ها

  • حفاظت از اتصال کوتاه: استفاده از سنسور جریان و مدار قطع سریع


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 10 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 20 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 25 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 15 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ عملی: تا 500 kHz


جایگزین‌های مشابه

  • IRF7416 – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • IRF7413 – مشخصات بسیار مشابه

  • FDS6688 – از Fairchild/ON Semi

  • SI7860ADP – از Vishay

  • BSZ100N03LSG – از Infineon


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRF7416PBF یک انتخاب حرفه‌ای و کارآمد برای طراحی‌های SMD با چگالی توان بالا است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • مقاومت Rds(on) بسیار پایین (8.5mΩ)

  • جریان دهی عالی (13A) در بسته‌بندی SMD

  • سرعت سوئیچینگ بسیار بالا

  • کارایی حرارتی خوب با بسته‌بندی D²PAK

  • مناسب برای فرکانس‌کاری بالا

⚠️ محدودیت‌ها و هشدارها:

  • نیاز به طراحی PCB مناسب برای مدیریت حرارت

  • نیاز به درایور گیت قوی

  • حساس به نویز و ringing به دلیل سرعت بالا

  • ولتاژ کاری محدود به 30V

💰 کاربردهای تخصصی:

  • منابع تغذیه سرور و تجهیزات شبکه

  • مبدل‌های DC-DC با چگالی توان بالا

  • درایورهای موتور برای رباتیک صنعتی

  • سیستم‌های مدیریت باتری پیشرفته

  • تجهیزات مخابراتی پرتوان

این قطعه برای طراحانی که به دنبال کارایی بالا در فضای محدود با قابلیت مدیریت جریان‌های بالا هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.