...

ماسفت MOSFET IRF7343 SMD ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
Dual HEXFET®

کد محصول PRD-14987

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

62.910تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRF7343 – Dual N-Channel و P-Channel HEXFET®

ماسفت IRF7343 یک ترانزیستور قدرت Dual از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این قطعه شامل یک ماسفت N-Channel و یک ماسفت P-Channel مستقل در یک بسته‌بندی SMD کوچک می‌باشد.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRF7343

  • ترکیب N-Channel و P-Channel: امکان طراحی مدارات کامل در یک پکیج

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> پایین: 35 میلی‌اهم برای N-Channel – کارایی عالی

  • بسته‌بندی SOIC-8: استاندارد و قابل تعویض

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای PWM فرکانس بالا

  • صرفه‌جویی در فضا: جایگزین عالی برای دو ماسفت مجزا با قطبیت مختلف

  • بهینه برای مدارات Complementary


کاربردهای اصلی

این ماسفت ترکیبی در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • مدارات Complementary Switch

  • درایورهای موتور DC با کنترل کامل

  • مبدل‌های Synchronous Buck

  • مدارات Half-Bridge

  • سیستم‌های مدیریت توان (Power Management)

  • سویچ‌های بار (Load Switch) هوشمند

  • کنترلرهای روشنایی LED پیشرفته

  • مدارات محافظت و قطع کننده


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت N-Channel: 10-12 V

  • ولتاژ درایو گیت P-Channel: -10 V تا -12 V

  • جریان پیک درایور: 0.3-0.5 A برای هر کدام

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 10 تا 47 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 100-300 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 120 °C/W

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 40 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • درایور گیت متفاوت: نیاز به درایور با پلاریته مختلف برای N و P-Channel

  • مدیریت حرارتی: استفاده از مساحت کافی مس روی PCB

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی نزدیک پایه‌های منبع تغذیه

  • حفاظت از گیت: دیود TVS برای محافظت هر دو گیت

  • مقاومت Pull-Up/Down:

  • مقاومت 100kΩ بین گیت N-Channel و سورس

  • مقاومت 100kΩ بین گیت P-Channel و سورس

  • ایزولیشن: در صورت نیاز از درایورهای ایزوله استفاده شود


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 12 ns (N-Channel), 15 ns (P-Channel)

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 25 ns (N-Channel), 30 ns (P-Channel)

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 30 ns (N-Channel), 35 ns (P-Channel)

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 18 ns (N-Channel), 22 ns (P-Channel)

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ: تا 500 kHz


جایگزین‌های مشابه

  • IRF7307 – ترکیب مشابه با مشخصات متفاوت

  • SI7336ADP – از Vishay

  • FDS8936A – از Fairchild/ON Semi

  • DMN3012LSD – از Diodes Inc.

  • NTMD4840N – از ON Semiconductor


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRF7343 یک انتخاب ایده‌آل برای طراحی‌های فشرده با نیاز به هر دو قطبیت است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ترکیب N-Channel و P-Channel در یک پکیج

  • مقاومت Rds(on) پایین به ویژه برای N-Channel

  • سرعت سوئیچینگ بالا

  • صرفه‌جویی قابل توجه در فضا و هزینه

  • مناسب برای مدارات complementary

⚠️ محدودیت‌ها:

  • نیاز به درایور با پلاریته مختلف

  • جریان محدود برای هر ماسفت

  • توان حرارتی محدود

  • طراحی درایور پیچیده‌تر نسبت به ماسفت‌های تکی

💰 ایده‌آل برای:

  • درایورهای موتور کوچک و متوسط

  • مبدل‌های DC-DC synchronous

  • مدارات half-bridge و full-bridge ساده

  • محصولات الکترونیکی مصرفی پیشرفته

  • سیستم‌های مدیریت باتری

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل فشرده و همه‌کاره برای مداراتی که نیاز به هر دو نوع N-Channel و P-Channel دارند هستند، انتخابی عالی محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.