ماسفت MOSFET IPW60R190P6 ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری
CoolMOS™ P7

کد محصول PRD-14967

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

357.750تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IPW60R190P7 – تکنولوژی Superjunction CoolMOS™ P7

ماسفت IPW60R190P6 یک ترانزیستور قدرت N-Channel پیشرفته مبتنی بر تکنولوژی Superjunction CoolMOS™ P7 است که توسط شرکت Infineon Technologies تولید شده است. این خانواده به دلیل کارایی بالا، قابلیت اطمینان فوق العاده و بهینه‌سازی عالی برای سوئیچینگ سخت (Hard Switching) طراحی شده‌اند.

ویژگی‌های منحصر به فرد تکنولوژی CoolMOS™ P7

✅ مزایای کلیدی P7

  • تعادل استثنایی بین R<sub>DS(on)</sub> و Q<sub>g</sub>: این یعنی تلفات هدایت (Conduction Loss) و تلفات سوئیچینگ (Switching Loss) به طور همزمان پایین هستند.

  • دیود بدن با بازیابی بسیار سریع: کاهش قابل توجه تلفات در مبدل‌های پل کامل (Bridge Topologies).

  • پایداری حرارتی عالی: عملکرد مطمئن در دماهای بالا.

  • قابلیت اطمینان بالا (Quality Level): مناسب برای محصولات صنعتی و خودرویی.

  • بهینه‌سازی شده برای سوئیچینگ سخت (Hard-Switching): انتخاب ایده‌آل برای توپولوژی‌های رایج مانند PFC، Half-Bridge و Full-Bridge.


کاربردهای اصلی

این ماسفت پرتوان در طیف وسیعی از کاربردها استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با توان متوسط تا بالا

  • مدارهای PFC (اصلاح ضریب توان) در حالت Active Boost

  • مبدل‌های DC-DC صنعتی

  • درایورهای موتور و کنترل‌کننده‌های سرعت

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه)

  • مبدل‌های پل کامل (Full-Bridge) برای جوشکاری و اینورترها


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 2 A برای سوئیچینگ سریع و کم‌تلفات.

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 2.2 تا 10 Ω (بسته به سرعت سوئیچینگ مورد نیاز و نویز EMI).

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: تا 100 kHz.

محاسبات حرارتی حیاتی

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>thJ-A</sub>): 40 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>thJ-C</sub>): 0.45 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • همیشه از یک هیت‌سینک مناسب استفاده کنید. یک هیت‌سینک خوب برای این قطعه ضروری است.

  • مسیرهای PCB ضخیم و کوتاه: به ویژه برای پایه‌های درین و سورس، از مس عریض (2 oz) استفاده کنید.

  • حلقه‌های مداری کوچک: خازن‌های بای‌پس با ESR پایین را تا جای ممکن نزدیک به پایه‌های سورس و درین قرار دهید.

  • حفاظت از گیت: از TVS دیود یا Zener برای محافظت در برابر Spikeهای ولتاژ و جلوگیری از شکست گیت اکساید استفاده کنید.

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت (10kΩ) بین گیت و سورس برای تخلیه بار گیت و جلوگیری از روشن شدن ناخواسته توصیه می‌شود.


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IPW60R190P7 (معروف به P6) یک انتخاب عالی، قابل اعتماد و با کارایی برتر برای طراحانی است که به دنبال یک سوئیچ قدرتمند 600V/20A با کمترین تلفات ممکن هستند.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • راندمان بسیار بالا به دلیل Rds(on) و Qg پایین.

  • قابلیت اطمینان اثبات شده اینفینون.

  • مناسب برای محیط‌های صنعتی سخت.

  • قیمت بهینه نسبت به عملکرد ارائه شده.

این قطعه به طور خاص برای ارتقای راندمان در منابع تغذیه سرور، تجهیزات صنعتی و سیستم‌های UPS طراحی شده است.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IPW60R190P6 ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری CoolMOS™ P7
ولتاژ درین-سورس

600V

جریان درین پیوسته 21.5A (در 25°C)
جریان درین پالسی 86A
مقاومت درین-سورس روشن 0.190 Ω (190 mΩ)
بسته‌بندی TO-247
ولتاژ گیت-سورس ±30V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IPW60R190P6 ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن