...

ماسفت MOSFET IPW60R055CFD7 ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری
SiC MOSFET

کد محصول PRD-14813

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

1.722.060تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IPW60R055CFD7 – تکنولوژی Superjunction CoolMOS™

بررسی تخصصی ترانزیستور قدرت پیشرفته

ماسفت IPW60R055CFD7 یک ترانزیستور قدرت پیشرفته مبتنی بر تکنولوژی Superjunction CoolMOS™ CFD7 است که توسط شرکت Infineon تولید شده است.

مشخصات فنی جامع

پارامترهای اصلی

  • سری: CoolMOS™ CFD7

  • ولتاژ درین-سورس: 600V

  • جریان درین پیوسته: 18.5A (در 25°C)

  • جریان درین پالسی: 74A

  • مقاومت درین-سورس روشن: 55mΩ (در Vgs=10V)

  • بسته‌بندی: TO-247

مشخصات کلیدی

  • ولتاژ گیت-سورس: ±20V

  • توان مجاز: 200W

  • دمای اتصال: -55°C تا +150°C

  • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss): 1950pF

  • بار گیت (Qg): 60nC

  • شارژ گیت (Qgs): 14nC

ویژگی‌های منحصر به فرد CoolMOS™ CFD7

✅ مزایای تکنولوژی CFD7

  • مقاومت Rds(on) بسیار پایین

  • بار گیت بهینه‌شده (Low Qg)

  • دیود بدن ذاتی با بازیابی نرم

  • مقاومت حرارتی عالی

  • سوئیچینگ با نویز EMI پایین

📊 مشخصات سوئیچینگ

  • سرعت سوئیچینگ بالا

  • تلفات سوئیچینگ پایین

  • پایداری حرارتی عالی

  • قابلیت اطمینان بالا در کاربردهای سخت

کاربردهای اصلی

🔌 حوزه‌های کاربردی

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

  • مبدل‌های DC-DC صنعتی

  • اینورترهای خورشیدی

  • درایور موتورهای صنعتی

  • سیستم‌های UPS

  • شارژر خودروهای الکتریکی

  • مبدل‌های PFC

مدار راه‌اندازی پیشنهادی

الزامات درایور گیت

  • ولتاژ درایور گیت: 10V-15V توصیه می‌شود

  • جریان درایور پیک: حداقل 2A

  • مقاومت گیت: 2.2-10Ω

  • سرعت سوئیچینگ بهینه: 50-200kHz

محاسبات حرارتی

پارامترهای حرارتی

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (Rthj-a): 62°C/W

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (Rthj-c): 0.5°C/W

  • حداکثر دمای اتصال (Tjmax): 150°C

نکات حیاتی در طراحی

هشدارهای مهم

  • از ringing در گیت جلوگیری کنید

  • مدیریت حرارتی مناسب ضروری است

  • فیوز حفاظتی در مسیر درین توصیه می‌شود

  • از اتصال کوتاه گیت-سورس جلوگیری کنید

راهکارهای بهینه‌سازی

  • استفاده از PCB با مس ضخیم

  • خازن‌های بای‌پس سرامیکی نزدیک پایه‌ها

  • سنسور دمای روی هیت‌سینک

  • مدار snubber برای کاهش overshoot

مشخصات سوئیچینگ دقیق

زمان‌های سوئیچینگ معمول

  • زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): 15ns

  • زمان افزایش (tr): 25ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): 40ns

  • زمان سقوط (tf): 15ns

پارامترهای دینامیکی

  • انرژی روشن شدن (Eon): 80μJ

  • انرژی خاموش شدن (Eoff): 25μJ

  • اندوکتانس خروجی (Ld): 5nH

برنامه‌های کاربردی خاص

طراحی منبع تغذیه سوئیچینگ

  • توپولوژی: Flyback, Forward, Half-Bridge

  • فرکانس سوئیچینگ: 50-150kHz

  • قدرت خروجی: تا 1000W

مبدل PFC (اصلاح ضریب توان)

  • توپولوژی: Boost PFC

  • فرکانس کاری: 65-100kHz

  • ولتاژ خروجی: 400V

  • قدرت خروجی: تا 1500W

محافظت‌ها و ملاحظات

مدارهای حفاظتی پیشنهادی

  • TVS دیود برای حفاظت از گیت

  • snubber مدار برای کاهش spike ولتاژ

  • فیوز سریع در مسیر درین

  • NTC برای نظارت بر دما

ملاحظات EMC/EMI

  • تست انتشار conducted EMI

  • استفاده از فیلترهای EMI

  • طراحی زمین‌سازی مناسب

  • شیلدینگ مغناطیسی در صورت نیاز

جمع‌بندی نهایی

IPW60R055CFD7 یک ماسفت Superjunction با عملکرد استثنایی است که مزایای زیر را ارائه می‌دهد:

🎯 مزایای کلیدی

  • راندمان بسیار بالا

  • تلفات سوئیچینگ پایین

  • قابلیت اطمینان برتر

  • مناسب برای فرکانس‌های کاری بالا

  • دیود بدن با بازیابی نرم

💰 مقرون به صرفه برای

  • منابع تغذیه صنعتی

  • سیستم‌های انرژی تجدیدپذیر

  • درایورهای موتور صنعتی

  • تجهیزات مخابراتی

  • سیستم‌های UPS

این قطعه برای طراحانی که به دنبال کارایی بالا، قابلیت اطمینان و راندمان برتر در کاربردهای توان متوسط و بالا هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.