...

ماسفت MOSFET FQI4N80TU ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
MOSFET

کد محصول PRD-15009

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

152.820تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت FQI4N80TU – ترانزیستور قدرت N-Channel

ماسفت FQI4N80TU یک ترانزیستور قدرت N-Channel است که توسط شرکت Fairchild Semiconductor (اکنون بخشی از ON Semiconductor) تولید شده است. این ماسفت برای کاربردهای های-ولتاژ با کارایی خوب طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی FQI4N80TU

  • ولتاژ کاری بسیار بالا: 800 ولت – مناسب برای کاربردهای صنعتی پیشرفته

  • بسته‌بندی کاملاً ایزوله: عدم نیاز به عایق‌بندی اضافی

  • بار گیت پایین: 28 nC – درایو نسبتاً ساده

  • نصب آسان: کاهش زمان و هزینه مونتاژ

  • ایمنی بالا: کاهش خطر اتصال کوتاه به هیت‌سینک

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت Fairchild/ON Semi


کاربردهای اصلی

این ماسفت ولتاژ بسیار بالا در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی پیشرفته

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان)

  • مبدل‌های Flyback و Forward

  • اینورترهای صنعتی با ولتاژ بالا

  • کنترلرهای روشنایی صنعتی با ولتاژ بالا

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) صنعتی

  • شارژرهای باتری صنعتی با ولتاژ بالا

  • درایورهای موتور AC با ولتاژ بالا


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 62 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 2.5 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • مدیریت حرارتی: با وجود ایزوله بودن، حتماً از هیت‌سینک مناسب استفاده کنید

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 800V

  • حفاظت از گیت ضروری است: استفاده از دیود زنر 18V بین گیت و سورس

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 10kΩ-47kΩ بین گیت و سورس

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • مدار Snubber: استفاده از مدار اسنابر برای کاهش اسپایک ولتاژ


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 70 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 75 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 40 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.15 mJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.08 mJ


مزایای بسته‌بندی TO-220F

  • نصب سریع: حذف مرحله عایق‌کاری

  • کاهش هزینه: حذف هزینه عایق میکا و پیچ عایق

  • قابلیت اطمینان بالا: کاهش خطاهای مونتاژ

  • ایمنی بهبود یافته: پیشگیری از اتصال کوتاه


جایگزین‌های مشابه و معادل

  • FQI4N80T – نسخه اصلی

  • IRF840 – از Infineon (ولتاژ پایین‌تر)

  • STP4NB80 – از STMicroelectronics

  • FQP4N80 – از Fairchild/ON Semi

  • 2SK3878 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت FQI4N80TU یک انتخاب مطمئن و تخصصی برای کاربردهای ولتاژ بسیار بالا است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری بسیار بالا (800V)

  • بسته‌بندی کاملاً ایزوله (TO-220F)

  • بار گیت پایین (28nC)

  • نصب آسان و کاهش هزینه مونتاژ

  • قابلیت اطمینان بالا

⚠️ محدودیت‌ها:

  • مقاومت Rds(on) بالا (1.2Ω)

  • جریان دهی محدود (4A)

  • نیاز به مدیریت حرارتی دقیق

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

💰 ایده‌آل برای:

  • منابع تغذیه صنعتی با ولتاژ بسیار بالا

  • کنترلرهای روشنایی صنعتی با ولتاژ بالا

  • مدارات PFC کوچک و متوسط

  • شارژرهای باتری صنعتی با ولتاژ بالا

  • کاربردهای که ایمنی و قابلیت اطمینان اولویت دارد

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل مطمئن، ایزوله و با کیفیت برای کاربردهای ولتاژ بسیار بالا هستند، انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.