ماسفت MOSFET IRFP4668PBF ORIGINAL

در حال دریافت مشخصات محصول…
کد محصول PRD-14968
ابزارهای محصول دسترسی سریع به امکانات محصول

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

363.900تومان

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRFP4668PBF – ترانزیستور قدرت HEXFET®

ماسفت IRFP4668PBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده معروف HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت برای کاربردهای پرتوان و فرکانس پایین طراحی شده و دارای قابلیت تحمل جریان بسیار بالا می‌باشد.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFP4668PBF

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> بسیار پایین: تنها 6.5 میلی‌اهم – تلفات هدایت بسیار کم

  • جریان دهی بسیار بالا: تا 130 آمپر در دمای 25°C

  • قابلیت تحمل توان بسیار بالا: تا 520 وات

  • دمای اتصال بالا: امکان کار تا 175°C

  • دیود بدن داخلی: دارای دیود بدن (Body Diode) با قابلیت بازیابی

  • قابلیت اطمینان بالا: مناسب برای کاربردهای صنعتی سنگین


کاربردهای اصلی

این ماسفت فوق‌پرانرژی در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • درایورهای موتور DC و AC پرتوان

  • کنترل‌کننده‌های سرعت موتور صنعتی

  • منابع تغذیه سوئیچینگ پرتوان

  • اینورترهای جوشکاری

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) صنعتی

  • مبدل‌های DC-DC پرتوان

  • کنترل‌کننده‌های توان صنعتی

  • سیستم‌های ترمز احیاکننده


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 10-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 4-5 A (به دلیل Qg بالا)

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 1 تا 4.7 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: تا 50 kHz (به دلیل ظرفیت خازنی بالا)

محاسبات حرارتی حیاتی

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 0.5 °C/W (با هیت‌سینک ایده‌آل)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 0.24 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • هیت‌سینک بزرگ و مناسب: این قطعه به دلیل توان بالای خود نیاز به هیت‌سینک بسیار بزرگ دارد.

  • خنک‌کننده فعال: در بسیاری از کاربردها خنک‌کننده فن دار.

  • مسیرهای PCB بسیار عریض: استفاده از مس 2-3 اونس با عرض زیاد برای پایه‌های درین و سورس.

  • خازن‌های بای‌پس پرتوان: استفاده از خازن‌های سرامیکی و الکترولیتیک با ESR پایین.

  • درایور گیت قوی: استفاده از درایور گیت اختصاصی با قابلیت ارائه جریان بالا.

  • حفاظت از اضافه جریان: استفاده از فیوزهای سریع یا مدارهای شنت جریان.


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 25 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 110 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 70 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 60 ns


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFP4668PBF یک انتخاب ابرقدرتمند برای کاربردهای صنعتی سنگین است که نیاز به کنترل جریان‌های بسیار بالا دارند.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • جریان دهی بسیار بالا (130A)

  • مقاومت Rds(on) فوق‌العاده پایین (6.5mΩ)

  • قابلیت تحمل توان بسیار زیاد (520W)

  • ساخت robust و قابل اعتماد

⚠️ محدودیت‌ها:

  • بار گیت بسیار بالا (210nC) – نیاز به درایور قوی

  • سرعت سوئیچینگ محدود – مناسب برای فرکانس‌های پایین

  • نیاز به سیستم خنک‌کنندگی بسیار قوی

این قطعه برای طراحانی که به دنبال کنترل توان‌های بسیار بالا در فرکانس‌های پایین هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRFP4668PBF ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری HEXFET®
ولتاژ درین-سورس

200V

جریان درین پیوسته 130A (در 25°C)
جریان درین پالسی 520A
مقاومت درین-سورس روشن 0.0065 Ω (6.5 mΩ)
بسته‌بندی TO-247
ولتاژ گیت-سورس ±20V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRFP4668PBF ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن