81.550تومان
ماسفت IRF7343 یک ترانزیستور قدرت Dual از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این قطعه شامل یک ماسفت N-Channel و یک ماسفت P-Channel مستقل در یک بسته‌بندی SMD کوچک می‌باشد.
✅ مزایای کلیدی IRF7343
ترکیب N-Channel و P-Channel: امکان طراحی مدارات کامل در یک پکیج
مقاومت R<sub>DS(on)</sub> پایین: 35 میلی‌اهم برای N-Channel – کارایی عالی
بسته‌بندی SOIC-8: استاندارد و قابل تعویض
سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای PWM فرکانس بالا
صرفه‌جویی در فضا: جایگزین عالی برای دو ماسفت مجزا با قطبیت مختلف
بهینه برای مدارات Complementary
این ماسفت ترکیبی در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:
مدارات Complementary Switch
درایورهای موتور DC با کنترل کامل
مبدل‌های Synchronous Buck
مدارات Half-Bridge
سیستم‌های مدیریت توان (Power Management)
سویچ‌های بار (Load Switch) هوشمند
کنترلرهای روشنایی LED پیشرفته
مدارات محافظت و قطع کننده
الزامات درایور گیت:
ولتاژ درایو گیت N-Channel: 10-12 V
ولتاژ درایو گیت P-Channel: -10 V تا -12 V
جریان پیک درایور: 0.3-0.5 A برای هر کدام
مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 10 تا 47 Ω
فرکانس سوئیچینگ بهینه: 100-300 kHz
پارامترهای حرارتی:
مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 120 °C/W
مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 40 °C/W
درایور گیت متفاوت: نیاز به درایور با پلاریته مختلف برای N و P-Channel
مدیریت حرارتی: استفاده از مساحت کافی مس روی PCB
خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی نزدیک پایه‌های منبع تغذیه
حفاظت از گیت: دیود TVS برای محافظت هر دو گیت
مقاومت Pull-Up/Down:
مقاومت 100kΩ بین گیت N-Channel و سورس
مقاومت 100kΩ بین گیت P-Channel و سورس
ایزولیشن: در صورت نیاز از درایورهای ایزوله استفاده شود
زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 12 ns (N-Channel), 15 ns (P-Channel)
زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 25 ns (N-Channel), 30 ns (P-Channel)
زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 30 ns (N-Channel), 35 ns (P-Channel)
زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 18 ns (N-Channel), 22 ns (P-Channel)
حداکثر فرکانس سوئیچینگ: تا 500 kHz
IRF7307 – ترکیب مشابه با مشخصات متفاوت
SI7336ADP – از Vishay
FDS8936A – از Fairchild/ON Semi
DMN3012LSD – از Diodes Inc.
NTMD4840N – از ON Semiconductor
ماسفت IRF7343 یک انتخاب ایده‌آل برای طراحی‌های فشرده با نیاز به هر دو قطبیت است.
🎯 مزایای نهایی این قطعه:
ترکیب N-Channel و P-Channel در یک پکیج
مقاومت Rds(on) پایین به ویژه برای N-Channel
سرعت سوئیچینگ بالا
صرفه‌جویی قابل توجه در فضا و هزینه
مناسب برای مدارات complementary
⚠️ محدودیت‌ها:
نیاز به درایور با پلاریته مختلف
جریان محدود برای هر ماسفت
توان حرارتی محدود
طراحی درایور پیچیده‌تر نسبت به ماسفت‌های تکی
💰 ایده‌آل برای:
درایورهای موتور کوچک و متوسط
مبدل‌های DC-DC synchronous
مدارات half-bridge و full-bridge ساده
محصولات الکترونیکی مصرفی پیشرفته
سیستم‌های مدیریت باتری
این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل فشرده و همه‌کاره برای مداراتی که نیاز به هر دو نوع N-Channel و P-Channel دارند هستند، انتخابی عالی محسوب می‌شود.
| Feature | Specification |
|---|---|
| پکیج (Package) | |
| تعداد در بسته | |
| بسته‌بندی (Packing) | |
| تکنولوژی | Dual HEXFET® |
| ولتاژ درین-سورس |
55V |
| جریان درین پیوسته | 6.5A |
| جریان درین پالسی | 25A |
| مقاومت درین-سورس روشن | 0.035 Ω (35 mΩ) |
| بسته‌بندی | SOP-8 |
| ولتاژ گیت-سورس | ±20V |
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.