ماسفت MOSFET IRF640NSPBF SMD ORIGINAL

در حال دریافت مشخصات محصول…
کد محصول PRD-14994
ابزارهای محصول دسترسی سریع به امکانات محصول

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

124.600تومان

✓
محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRF640NSPBF – ترانزیستور قدرت N-Channel HEXFET®

ماسفت IRF640NSPBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای های-ولتاژ با فضای محدود طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRF640NSPBF

  • ولتاژ کاری بالا: 200 ولت – مناسب برای کاربردهای صنعتی

  • جریان دهی خوب: 18 آمپر در بسته‌بندی SMD

  • قابلیت اطمینان اثبات شده: طراحی بر اساس مدل محبوب IRF640

  • بسته‌بندی D²PAK: طراحی شده برای تخلیه حرارتی عالی

  • سویچینگ مناسب: برای کاربردهای فرکانس متوسط

  • قیمت اقتصادی: مقرون به صرفه برای تولید انبوه


کاربردهای اصلی

این ماسفت ولتاژ بالا SMD در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان)

  • مبدل‌های Flyback و Forward

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه)

  • درایورهای موتور AC

  • اینورترهای سولار

  • شارژرهای باتری صنعتی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 1-2 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 10 تا 47 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 40 °C/W (با PCB مناسب)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 1.0 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • مدیریت حرارتی: استفاده از PCB با لایه‌های مس ضخیم (2-4 اونس)

  • ویاهای حرارتی متعدد: حداقل 15-25 ویا زیر پد حرارتی

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 200V

  • خازن‌های بای‌پس: خازن‌های سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • حفاظت از گیت: استفاده از TVS دیود 18V برای محافظت

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 100kΩ بین گیت و سورس


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 50 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 60 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 35 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.15 mJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.08 mJ


جایگزین‌های مشابه

  • IRF640NS – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • IRF640 – نسخه Through-Hole معروف

  • STP20NM20 – از STMicroelectronics

  • FQP20N20 – از Fairchild/ON Semi

  • IXFH20N20 – از IXYS


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRF640NSPBF یک انتخاب متعادل و مطمئن برای کاربردهای ولتاژ بالا در طراحی‌های SMD است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری مناسب 200V برای صنعت

  • جریان دهی خوب (18A)

  • قابلیت اطمینان اثبات شده

  • قیمت مقرون به صرفه

  • در دسترس بودن عالی

⚠️ محدودیت‌ها:

  • مقاومت Rds(on) نسبتاً بالا (150mΩ)

  • بار گیت بالا (71nC)

  • سرعت سوئیچینگ محدود

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

💰 مقرون به صرفه برای:

  • منابع تغذیه صنعتی عمومی

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • مدارات PFC کوچک و متوسط

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • محصولات الکترونیکی با ولتاژ بالا و بودجه محدود

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD مطمئن و اقتصادی برای کاربردهای ولتاژ بالا در فضاهای محدود هستند، انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRF640NSPBF SMD ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی HEXFET®
ولتاژ درین-سورس

200V

جریان درین پیوسته 18A
جریان درین پالسی 72A
مقاومت درین-سورس روشن 0.15 Ω (150 mΩ)
بسته‌بندی D²PAK (TO-263)
ولتاژ گیت-سورس ±30V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRF640NSPBF SMD ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن