ماسفت MOSFET TK10A60D ORIGINAL

در حال دریافت مشخصات محصول…
کد محصول PRD-15004
ابزارهای محصول دسترسی سریع به امکانات محصول

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

94.250تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت TK10A60D – ترانزیستور قدرت N-Channel

ماسفت TK10A60D یک ترانزیستور قدرت N-Channel است که توسط شرکت توشیبا (Toshiba) تولید شده است. این ماسفت برای کاربردهای های-ولتاژ با قابلیت اطمینان بالا طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی TK10A60D

  • ولتاژ کاری بسیار بالا: 600 ولت در بسته‌بندی SMD

  • کیفیت ساخت عالی: استانداردهای کیفیت توشیبا

  • بسته‌بندی SMD: مناسب برای طراحی‌های فشرده

  • قابلیت اطمینان بالا: مناسب برای کاربردهای حساس

  • سویچینگ نرم: کاهش نویز EMI در مدارات سوئیچینگ

  • پروفیل کم ارتفاع: مناسب برای طراحی‌های کم‌پروفیل


کاربردهای اصلی

این ماسفت ولتاژ بالا SMD در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) فشرده

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان) کوچک

  • مبدل‌های Flyback صنعتی

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) کوچک

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • درایورهای موتور AC کوچک

  • مبدل‌های DC-DC ایزوله شده


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.3-0.5 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz

محاسبات حرارتی

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 80 °C/W (بدون PCB)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 5 °C/W

  • مقاومت حرارتی با PCB مناسب: 40-50 °C/W

نکات حیاتی در طراحی SMD ولتاژ بالا

  • مدیریت حرارتی پیشرفته: استفاده از PCB با مساحت کافی مس

  • ویاهای حرارتی: استفاده از ویاهای متعدد برای انتقال حرارت

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 600V

  • خازن‌های بای‌پس: خازن‌های سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • حفاظت از گیت: استفاده از TVS دیود SMD برای محافظت

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 100kΩ بین گیت و سورس


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 60 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 65 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 35 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ عملی: تا 100 kHz


جایگزین‌های مشابه و معادل

  • TK10A60U – نسخه Through-Hole (TO-220)

  • IRF840 – از Infineon

  • STP10NB60 – از STMicroelectronics

  • FQP10N60C – از Fairchild/ON Semi

  • 2SK3569 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت TK10A60D یک انتخاب مطمئن و فشرده برای کاربردهای ولتاژ بالا در طراحی‌های SMD است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری بسیار بالا (600V) در بسته‌بندی SMD

  • کیفیت ساخت عالی توشیبا

  • قابلیت اطمینان بالا

  • مناسب برای طراحی‌های فشرده

  • سویچینگ نرم و کم‌نویز

⚠️ محدودیت‌ها:

  • مقاومت Rds(on) نسبتاً بالا (450mΩ)

  • جریان دهی محدود (10A)

  • نیاز به مدیریت حرارتی دقیق

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

💰 ایده‌آل برای:

  • منابع تغذیه صنعتی فشرده

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • مدارات PFC کوچک

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • محصولات الکترونیکی با فضای محدود و ولتاژ بالا

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD مطمئن و با کیفیت برای کاربردهای ولتاژ بالا در فضاهای محدود هستند، انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET TK10A60D ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی MOSFET
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>)

600V

جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub> @ 25°C) 10A
جریان درین پالسی (I<sub>DM</sub>) 40A
مقاومت درین-سورس روشن (R<sub>DS(on)</sub>) 0.45 Ω (450 mΩ)
بسته‌بندی TO-220F-3
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GSS</sub>) ±30V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET TK10A60D ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن