172.630تومان
ضمانت اصالت کالا
بازگشت وجه در صورت معیوب بودن
ارسال سریع و اکسپرس
امکان پرداخت درب محل
ماسفت FQI4N80TU یک ترانزیستور قدرت N-Channel است که توسط شرکت Fairchild Semiconductor (اکنون بخشی از ON Semiconductor) تولید شده است. این ماسفت برای کاربردهای های-ولتاژ با کارایی خوب طراحی شده است.
✅ مزایای کلیدی FQI4N80TU
ولتاژ کاری بسیار بالا: 800 ولت – مناسب برای کاربردهای صنعتی پیشرفته
بستهبندی کاملاً ایزوله: عدم نیاز به عایقبندی اضافی
بار گیت پایین: 28 nC – درایو نسبتاً ساده
نصب آسان: کاهش زمان و هزینه مونتاژ
ایمنی بالا: کاهش خطر اتصال کوتاه به هیتسینک
قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت Fairchild/ON Semi
این ماسفت ولتاژ بسیار بالا در کاربردهای زیر استفاده میشود:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی پیشرفته
مدارات PFC (اصلاح ضریب توان)
مبدلهای Flyback و Forward
اینورترهای صنعتی با ولتاژ بالا
کنترلرهای روشنایی صنعتی با ولتاژ بالا
سیستمهای UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) صنعتی
شارژرهای باتری صنعتی با ولتاژ بالا
درایورهای موتور AC با ولتاژ بالا
الزامات درایور گیت:
ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V
جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A
مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω
فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz
پارامترهای حرارتی:
مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 62 °C/W (بدون هیتسینک)
مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 2.5 °C/W
مدیریت حرارتی: با وجود ایزوله بودن، حتماً از هیتسینک مناسب استفاده کنید
فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 800V
حفاظت از گیت ضروری است: استفاده از دیود زنر 18V بین گیت و سورس
مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 10kΩ-47kΩ بین گیت و سورس
خازن بایپس: خازن 100nF سرامیکی با ولتاژ کاری بالا
مدار Snubber: استفاده از مدار اسنابر برای کاهش اسپایک ولتاژ
زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns
زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 70 ns
زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 75 ns
زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 40 ns
انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 0.15 mJ
انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 0.08 mJ
نصب سریع: حذف مرحله عایقکاری
کاهش هزینه: حذف هزینه عایق میکا و پیچ عایق
قابلیت اطمینان بالا: کاهش خطاهای مونتاژ
ایمنی بهبود یافته: پیشگیری از اتصال کوتاه
FQI4N80T – نسخه اصلی
IRF840 – از Infineon (ولتاژ پایینتر)
STP4NB80 – از STMicroelectronics
FQP4N80 – از Fairchild/ON Semi
2SK3878 – از توشیبا
ماسفت FQI4N80TU یک انتخاب مطمئن و تخصصی برای کاربردهای ولتاژ بسیار بالا است.
🎯 مزایای نهایی این قطعه:
ولتاژ کاری بسیار بالا (800V)
بستهبندی کاملاً ایزوله (TO-220F)
بار گیت پایین (28nC)
نصب آسان و کاهش هزینه مونتاژ
قابلیت اطمینان بالا
⚠️ محدودیتها:
مقاومت Rds(on) بالا (1.2Ω)
جریان دهی محدود (4A)
نیاز به مدیریت حرارتی دقیق
تکنولوژی قدیمی – کارایی پایینتر از نسل جدید
💰 ایدهآل برای:
منابع تغذیه صنعتی با ولتاژ بسیار بالا
کنترلرهای روشنایی صنعتی با ولتاژ بالا
مدارات PFC کوچک و متوسط
شارژرهای باتری صنعتی با ولتاژ بالا
کاربردهای که ایمنی و قابلیت اطمینان اولویت دارد
این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راهحل مطمئن، ایزوله و با کیفیت برای کاربردهای ولتاژ بسیار بالا هستند، انتخابی مناسب محسوب میشود.
| Feature | Specification |
|---|---|
| پکیج (Package) | |
| تعداد در بسته | |
| بستهبندی (Packing) | |
| تکنولوژی | MOSFET |
| ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>) |
800V |
| جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub> @ 25°C) | 4A |
| جریان درین پالسی (I<sub>DM</sub>) | 16A |
| مقاومت درین-سورس روشن (R<sub>DS(on)</sub>) | 1.2 Ω (1200 mΩ) |
| بستهبندی | TO-262 |
| ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GSS</sub>) | ±30V |
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.