ماسفت MOSFET IRFR13N20DTRPBF SMD ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
HEXFET®

کد محصول PRD-14990

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

143.910تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRFR13N20DTRPBF – ترانزیستور قدرت N-Channel HEXFET®

ماسفت IRFR13N20DTRPBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel پیشرفته از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای های-ولتاژ با فضای محدود طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFR13N20DTRPBF

  • ولتاژ کاری بالا: 200 ولت – مناسب برای کاربردهای صنعتی پیشرفته

  • بار گیت پایین: 28 nC – درایو ساده و کارآمد

  • بسته‌بندی D²PAK: طراحی شده برای تخلیه حرارتی عالی

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت اینفینون

  • فرآیند بدون سرب: مطابق با استانداردهای زیست محیطی


کاربردهای اصلی

این ماسفت ولتاژ بالا SMD در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان)

  • مبدل‌های Flyback و Forward

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه)

  • اینورترهای سولار

  • درایورهای موتور AC

  • شارژرهای باتری صنعتی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 10 تا 47 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-150 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 40 °C/W (با PCB مناسب)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 1.0 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • مدیریت حرارتی: استفاده از PCB با لایه‌های مس ضخیم (2-4 اونس)

  • ویاهای حرارتی متعدد: حداقل 15-25 ویا زیر پد حرارتی

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 200V

  • خازن‌های بای‌پس: خازن‌های سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • حفاظت از گیت: استفاده از TVS دیود 18V برای محافظت

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 100kΩ بین گیت و سورس


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 15 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 40 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 45 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 25 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 45 μJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 22 μJ


جایگزین‌های مشابه

  • IRFR13N20D – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • STP12NK50Z – از STMicroelectronics

  • FQP12N20 – از Fairchild/ON Semi

  • IXFH12N20 – از IXYS

  • IPA50R280CE – از Infineon (نسخه جدیدتر)


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFR13N20DTRPBF یک انتخاب تخصصی برای کاربردهای ولتاژ بالا در طراحی‌های SMD است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری بالا (200V) مناسب برای صنعت

  • بار گیت پایین (28nC) – درایو ساده

  • سرعت سوئیچینگ خوب

  • قابلیت اطمینان بالا

  • بسته‌بندی بهینه برای فضای محدود

⚠️ محدودیت‌ها:

  • مقاومت Rds(on) نسبتاً بالا (220mΩ)

  • جریان دهی محدود (12A)

  • نیاز به مدیریت حرارتی دقیق

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

💰 مقرون به صرفه برای:

  • منابع تغذیه صنعتی 100-200V

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • مدارات PFC کوچک

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • محصولات الکترونیکی با ولتاژ بالا و فضای محدود

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD مطمئن برای کاربردهای ولتاژ بالا در فضاهای محدود هستند، انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRFR13N20DTRPBF SMD ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی HEXFET®
ولتاژ درین-سورس

200V

جریان درین پیوسته 12A
جریان درین پالسی 48A
مقاومت درین-سورس روشن 0.22 Ω (220 mΩ)
بسته‌بندی D²PAK
ولتاژ گیت-سورس ±30V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRFR13N20DTRPBF SMD ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن