...

ماسفت MOSFET IRF7811WTRPBF SMD ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
HEXFET®

کد محصول PRD-14986-1

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

66.150تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRF7811WTRPBF – ترانزیستور قدرت N-Channel HEXFET®

ماسفت IRF7811WTRPBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel پیشرفته از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD پیشرفته ارائه شده و برای کاربردهای های-کارنت با فضای محدود طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRF7811WTRPBF

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> فوق‌العاده پایین: 3.9 میلی‌اهم – از پایین‌ترین مقادیر در بازار

  • جریان دهی استثنایی: 68 آمپر در بسته‌بندی SMD کوچک

  • بسته‌بندی PowerPAK®: طراحی پیشرفته برای تخلیه حرارتی عالی

  • Logic-Level Gate: قابلیت درایو با ولتاژهای پایین (4.5V به بالا)

  • سویچینگ بسیار سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا

  • بهینه برای کاربردهای Synchronous Rectification


کاربردهای اصلی

این ماسفت فوق‌پرانرژی SMD در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • مبدل‌های Synchronous Buck پرتوان

  • منابع تغذیه سوئیچینگ برای سرور و دیتاسنتر

  • سیستم‌های مدیریت باتری (BMS) پیشرفته

  • درایورهای موتور BLDC پرتوان

  • مبدل‌های DC-DC با چگالی توان بالا

  • بارهای سمت پایین (Low-Side Loads) پرجریان

  • سیستم‌های توزیع توان در تجهیزات شبکه

  • شارژرهای سریع صنعتی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 5-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 2-3 A (به دلیل C<sub>iss</sub> بالا)

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 2.2 تا 10 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 200-500 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 40 °C/W (با PCB مناسب)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 2 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • مدیریت حرارتی پیشرفته: استفاده از PCB با لایه‌های مس ضخیم (2-4 اونس)

  • ویاهای حرارتی متعدد: حداقل 10-20 ویا زیر پد حرارتی

  • مسیرهای فوق‌العاده عریض: برای پایه‌های درین و سورس

  • درایور گیت قوی: استفاده از درایور گیت اختصاصی با قابلیت جریان بالا

  • خازن‌های بای‌پس: خازن‌های سرامیکی با ESR پایین بسیار نزدیک پایه‌ها

  • حفاظت از اتصال کوتاه: استفاده از سنسور جریان و مدار قطع سریع

مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 8 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 15 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 20 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 12 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ عملی: تا 1 MHz


جایگزین‌های مشابه

  • IRF7821 – مشخصات مشابه با بسته‌بندی مشابه

  • SI7860ADP – از Vishay

  • FDS6688 – از Fairchild/ON Semi

  • BSZ096N03LSG – از Infineon

  • DMN3012LSD – از Diodes Inc.


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRF7811WTRPBF یک انتخاب حرفه‌ای و فوق‌العاده برای طراحی‌های SMD با چگالی توان بسیار بالا است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • مقاومت Rds(on) فوق‌پایین (3.9mΩ) – رکورددار در کلاس خود

  • جریان دهی استثنایی (68A) در بسته‌بندی SMD

  • سرعت سوئیچینگ بسیار بالا

  • کارایی حرارتی عالی با بسته‌بندی PowerPAK®

  • مناسب برای فرکانس‌کاری بسیار بالا

⚠️ محدودیت‌ها و هشدارها:

  • نیاز به طراحی PCB بسیار حرفه‌ای برای مدیریت حرارت

  • نیاز به درایور گیت قوی

  • حساس به نویز و ringing به دلیل سرعت بالا

  • فقط برای طراحان بسیار حرفه‌ای توصیه می‌شود

💰 کاربردهای تخصصی:

  • منابع تغذیه سرور و تجهیزات شبکه

  • مبدل‌های DC-DC با چگالی توان بسیار بالا

  • درایورهای موتور برای خودروهای الکتریکی

  • سیستم‌های مدیریت باتری پیشرفته

  • تجهیزات مخابراتی پرتوان

این قطعه برای طراحانی که به دنبال حداکثر کارایی در کوچک‌ترین فضای ممکن هستند و تخصص کافی در طراحی PCB پیشرفته دارند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.