ماسفت MOSFET IRF7303 SMD ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
Dual HEXFET®

کد محصول PRD-14986

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

100.710تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRF7303 – Dual P-Channel HEXFET®

ماسفت IRF7303 یک ترانزیستور قدرت Dual P-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این قطعه شامل دو ماسفت P-Channel مستقل در یک بسته‌بندی SMD کوچک می‌باشد.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRF7303

  • طراحی Dual P-Channel: دو ماسفت P-Channel مستقل در یک پکیج

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> پایین: 65 میلی‌اهم – کارایی عالی برای P-Channel

  • بسته‌بندی SOIC-8: استاندارد و قابل تعویض

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای PWM

  • صرفه‌جویی در فضا: جایگزین عالی برای دو ماسفت مجزا

  • قیمت اقتصادی: مقرون به صرفه برای تولید انبوه


کاربردهای اصلی

این ماسفت دوتایی P-Channel در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • سویچ بار (Load Switch) ساید High-Side دوگانه

  • کنترلرهای منبع تغذیه با پلاریته منفی

  • مدارات محافظت Reverse Polarity

  • سیستم‌های مدیریت باتری

  • مدارات قطع کننده بار (Load Disconnect)

  • کنترلرهای روشن/خاموش در دستگاه‌های پرتابل

  • مبدل‌های DC-DC با توپولوژی خاص

  • سیستم‌های توزیع توان


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت (مهم):

  • ولتاژ درایو گیت: -10 V تا -12 V برای روشن شدن کامل

  • ولتاژ گیت برای خاموشی: 0 V تا +5 V (نسبت به سورس)

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.3-0.5 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-200 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 120 °C/W

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 40 °C/W

نکات حیاتی در طراحی P-Channel

  • پلاریته معکوس: توجه به پلاریته منفی ولتاژهای V<sub>DS</sub> و V<sub>GS</sub>

  • درایور گیت مناسب: نیاز به ولتاژ منفی برای روشن کردن

  • مقاومت Pull-Up: مقاومت 100kΩ بین گیت و سورس برای هر ماسفت

  • حفاظت از اسپایک: دیود TVS برای محافظت گیت

  • مدیریت حرارتی: استفاده از مساحت کافی مس روی PCB

  • ایزولیشن گیت: در صورت نیاز از درایور ایزوله استفاده شود


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 15 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 30 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 35 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 20 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ: تا 500 kHz


جایگزین‌های مشابه

  • IRF7304 – ولتاژ بالاتر (-40V)

  • SI7333ADP – از Vishay

  • FDS6675A – از Fairchild/ON Semi

  • NDP6020P – از Fairchild/ON Semi

  • TPC8107 – از Taiwan Semiconductor


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRF7303 یک انتخاب عالی برای طراحی‌های فشرده با نیاز به P-Channel است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • دو ماسفت P-Channel مستقل در یک پکیج

  • مقاومت Rds(on) پایین برای P-Channel

  • جریان دهی مناسب (5.5A-)

  • سرعت سوئیچینگ خوب

  • صرفه‌جویی قابل توجه در فضا

⚠️ محدودیت‌ها:

  • نیاز به درایور گیت با پلاریته منفی

  • ولتاژ کاری محدود (-30V)

  • توان حرارتی محدود

💰 ایده‌آل برای:

  • Load Switch های SMD صنعتی

  • کنترلرهای منبع تغذیه پرتابل

  • سیستم‌های مدیریت باتری

  • مدارات محافظت Reverse Polarity

  • محصولات الکترونیکی مصرفی و صنعتی فشرده

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل فشرده و کارآمد برای سویچینگ ساید High با جریان متوسط در فضاهای محدود هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRF7303 SMD ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی Dual HEXFET®
ولتاژ درین-سورس

-30V

جریان درین پیوسته -5.5A
جریان درین پالسی -22A
مقاومت درین-سورس روشن 0.065 Ω (65 mΩ)
بسته‌بندی SOP-8
ولتاژ گیت-سورس ±20V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRF7303 SMD ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن