...

ماسفت MOSFET IRFU220NPBF ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
HEXFET®

کد محصول PRD-14984

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

66.150تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRFU220NPBF – ترانزیستور قدرت N-Channel HEXFET®

ماسفت IRFU220NPBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای فضای محدود با نیاز به ولتاژ بالا طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFU220NPBF

  • ولتاژ بالا 200V: مناسب برای کاربردهای صنعتی در طراحی SMD

  • بسته‌بندی SMD: ایده‌آل برای فضاهای محدود

  • بار گیت پایین: 18 nC – درایو ساده

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت اینفینون

  • فرآیند بدون سرب (Pb-Free): مطابق با RoHS


کاربردهای اصلی

این ماسفت SMD ولتاژ بالا در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) فشرده صنعتی

  • مدارات PFC (اصلاح ضریب توان) کوچک

  • مبدل‌های Flyback و Forward

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) کوچک

  • درایورهای موتور AC کوچک

  • مبدل‌های DC-DC ایزوله شده

  • شارژرهای باتری صنعتی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.3-0.5 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-100 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 80 °C/W (بدون PCB)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 5 °C/W

  • مقاومت حرارتی با PCB مناسب: 40-50 °C/W

نکات حیاتی در طراحی SMD ولتاژ بالا

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 200V

  • مدیریت حرارتی: استفاده از مساحت کافی مس روی PCB (حداقل 4cm²)

  • ویاهای حرارتی: استفاده از ویاهای متعدد برای انتقال حرارت

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی با ولتاژ کاری بالا

  • حفاظت از گیت: استفاده از TVS دیود SMD 18V برای محافظت

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 100kΩ بین گیت و سورس


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 50 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 50 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 30 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 25 μJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 12 μJ


جایگزین‌های مشابه

  • IRFU220 – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • STP4NK50Z – از STMicroelectronics

  • FQP4N50 – از Fairchild/ON Semi (نسخه Through-Hole)

  • IPA50R280CE – از Infineon (نسخه جدیدتر)

  • 2SK3918 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFU220NPBF یک انتخاب تخصصی برای طراحی‌های SMD ولتاژ بالا است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ کاری بالا (200V) در بسته‌بندی SMD

  • بار گیت پایین (18nC) – درایو ساده

  • سرعت سوئیچینگ خوب

  • مناسب برای فرکانس‌کاری متوسط

  • قابلیت اطمینان بالا

⚠️ محدودیت‌ها:

  • جریان دهی محدود (4.3A)

  • مقاومت Rds(on) نسبتاً بالا

  • مدیریت حرارتی چالش‌برانگیز

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

💰 مقرون به صرفه برای:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی فشرده

  • کنترلرهای روشنایی LED صنعتی

  • مدارات PFC کوچک

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • محصولات الکترونیکی با ولتاژ بالا و فضای محدود

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD مطمئن برای کاربردهای ولتاژ بالا در فضاهای محدود هستند، انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.