...

ماسفت MOSFET IRFU024NPBF ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
HEXFET®

کد محصول PRD-14983

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

98.820تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRFU024NPBF – ترانزیستور قدرت N-Channel HEXFET®

ماسفت IRFU024NPBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای فضای محدود با نیاز به عملکرد Low-Voltage طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFU024NPBF

  • بسته‌بندی SMD: ایده‌آل برای فضاهای محدود و تولید انبوه

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> پایین: 100 میلی‌اهم – کارایی خوب

  • جریان دهی بالا: 17 آمپر در بسته‌بندی کوچک

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای PWM فرکانس بالا

  • ولتاژ کاری مناسب 55V: ایده‌آل برای سیستم‌های 12V تا 48V

  • فرآیند بدون سرب (Pb-Free): مطابق با استانداردهای زیست محیطی


کاربردهای اصلی

این ماسفت SMD در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) فشرده

  • درایورهای موتور DC و استپر موتور در دستگاه‌های پرتابل

  • کنترلرهای سرعت موتور PWM در رباتیک

  • سویچ‌های بار (Load Switch) پرتوان SMD

  • مبدل‌های DC-DC Buck/Boost با تراکم بالا

  • سیستم‌های مدیریت باتری (BMS) برای دستگاه‌های قابل حمل

  • کنترلرهای روشنایی صنعتی فشرده

  • محصولات الکترونیکی مصرفی پرتوان


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 10-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 10 تا 47 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-150 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 80 °C/W (بدون PCB)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 5 °C/W

  • مقاومت حرارتی با PCB مناسب: 40-50 °C/W

نکات حیاتی در طراحی SMD

  • مدیریت حرارتی: استفاده از مساحت کافی مس روی PCB (حداقل 2cm²)

  • ویاهای حرارتی: استفاده از ویاهای متعدد برای انتقال حرارت به لایه‌های دیگر

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی با ESR پایین نزدیک پایه‌ها

  • حفاظت از گیت: استفاده از TVS دیود SMD 18V برای محافظت

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 100kΩ بین گیت و سورس

  • مسیرهای عریض: استفاده از مس عریض برای پایه‌های درین و سورس


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 15 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 45 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 40 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 25 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ عملی: تا 200 kHz


جایگزین‌های مشابه

  • IRFU024 – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • IRF7413 – مشخصات مشابه

  • FDS6680A – از Fairchild/ON Semi

  • SI7850DP – از Vishay

  • TPC8101 – از Taiwan Semiconductor


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFU024NPBF یک انتخاب عالی برای طراحی‌های SMD فشرده با نیاز به جریان بالا است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • جریان دهی بالا (17A) در بسته‌بندی کوچک

  • مقاومت Rds(on) پایین (100mΩ)

  • سرعت سوئیچینگ بالا

  • مناسب برای فرکانس‌کاری بالا

  • ایده‌آل برای تولید انبوه

⚠️ محدودیت‌ها:

  • مدیریت حرارتی چالش‌برانگیز در بسته‌بندی SMD

  • نیاز به طراحی PCB حرفه‌ای برای مدیریت حرارت

  • ولتاژ کاری محدود به 55V

💰 مقرون به صرفه برای:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ فشرده

  • درایورهای موتور در رباتیک و پهپاد

  • سیستم‌های مدیریت باتری دستگاه‌های پرتابل

  • محصولات الکترونیکی مصرفی پرتوان

  • کنترلرهای صنعتی فشرده

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD کارآمد با جریان بالا برای کاربردهای Low-Voltage در فضاهای محدود هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.