ماسفت MOSFET IRF830PBF ORIGINAL

در حال دریافت مشخصات محصول…
کد محصول PRD-14978
ابزارهای محصول دسترسی سریع به امکانات محصول

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

112.500تومان

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRF830PBF – ترانزیستور قدرت HEXFET®

ماسفت IRF830PBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel کلاسیک و بسیار محبوب از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت جزء نسل قدیمی‌تر اما بسیار مطمئن و پرکاربرد در صنعت الکترونیک قدرت می‌باشد.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRF830PBF

  • ولتاژ بالا 500V: مناسب برای کاربردهای صنعتی عمومی

  • قابلیت اطمینان اثبات شده: دهه‌ها استفاده موفق در صنعت

  • قیمت بسیار اقتصادی: از مقرون به صرفه‌ترین قطعات در رده خود

  • در دسترس بودن عالی: موجود در تمامی بازارهای جهانی

  • سازگاری بالا: جایگزین مستقیم برای بسیاری از مدل‌های مشابه

  • پشتیبانی گسترده: مستندات فراوان و نمونه‌های طراحی متعدد


کاربردهای اصلی

این ماسفت در طیف وسیعی از کاربردهای صنعتی استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) کوچک و متوسط

  • درایورهای موتور DC و استپر موتور

  • مدارهای اینورتر ساده

  • کنترل‌کننده‌های روشنایی صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) کوچک

  • مبدل‌های DC-DC صنعتی

  • شارژرهای باتری صنعتی

  • پروژه‌های آموزشی و آزمایشگاهی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.3-0.5 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 20-40 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 62 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 2.08 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • همیشه از هیت‌سینک استفاده کنید: حتی در جریان‌های پایین

  • حفاظت از گیت ضروری است: استفاده از دیود زنر 15V بین گیت و سورس

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 10kΩ-47kΩ بین گیت و سورس

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی نزدیک پایه‌ها

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله کافی روی PCB برای ولتاژ 500V

  • محدودیت جریان: استفاده از فیوز یا مدار محدود کننده جریان


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 30 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 80 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 80 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 50 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ عملی: تا 50 kHz


جایگزین‌های مشابه و معادل

  • IRF830 – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • STP4NB50 – از STMicroelectronics

  • FQP4N50C – از Fairchild/ON Semi

  • BUZ73 – معادل قدیمی

  • 2SK2694 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRF830PBF یک انتخاب اقتصادی و مطمئن برای کاربردهای عمومی با توان متوسط است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • قیمت بسیار مقرون به صرفه

  • قابلیت اطمینان اثبات شده

  • در دسترس بودن عالی

  • مستندات و نمونه‌های طراحی فراوان

  • مناسب برای فرکانس‌کاری پایین تا متوسط

⚠️ محدودیت‌ها:

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

  • مقاومت Rds(on) بالا

  • جریان دهی محدود

  • سرعت سوئیچینگ پایین

💰 ایده‌آل برای:

  • پروژه‌های آموزشی و دانشگاهی

  • منابع تغذیه صنعتی کوچک

  • درایورهای موتور با توان پایین

  • سیستم‌های کنترل روشنایی ساده

  • طراحی‌های اقتصادی با حجم بالا

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل ساده، اقتصادی و tested برای کاربردهای غیرحساس با توان متوسط هستند، هنوز هم انتخابی مناسب محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRF830PBF ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی HEXFET®
ولتاژ درین-سورس

500V

جریان درین پیوسته 4.5A
جریان درین پالسی 18A
مقاومت درین-سورس روشن 1.5 Ω (1500 mΩ)
بسته‌بندی TO-220
ولتاژ گیت-سورس ±30V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRF830PBF ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن