...

ماسفت MOSFET TK11A65W ORIGINAL

پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی
Super Junction MOSFE

کد محصول PRD-14974

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

192.510تومان

اصالت

ضمانت اصالت کالا

بازگشت وجه

بازگشت وجه در صورت معیوب بودن

ارسال سریع

ارسال سریع و اکسپرس

پرداخت

امکان پرداخت درب محل

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت TK11A65W – ترانزیستور قدرت Super Junction MOSFET

ماسفت TK11A65W یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده Super Junction MOSFET است که توسط شرکت Toshiba تولید شده است. این ماسفت به‌طور خاص برای کاربردهای سوئیچینگ سخت (Hard-Switching) با کارایی بالا طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی TK11A65W

  • ولتاژ بالا 650V: مناسب برای کاربردهای صنعتی و برق قدرت

  • تعادل عالی R<sub>DS(on)</sub> و Q<sub>g</sub>: تلفات هدایت و سوئیچینگ پایین

  • دیود بدن با بازیابی فوق‌سریع: کاهش تلفات سوئیچینگ در مبدل‌های پل کامل

  • پایداری حرارتی عالی: عملکرد مطمئن در دماهای کاری بالا

  • بهینه‌شده برای سوئیچینگ سخت: عملکرد عالی در شرایط سخت سوئیچینگ

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت صنعتی توشیبا


کاربردهای اصلی

این ماسفت در کاربردهای پرتوان صنعتی زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی پرتوان

  • مدارهای PFC (اصلاح ضریب توان) اکتیو

  • مبدل‌های پل کامل (Full-Bridge)

  • اینورترهای جوشکاری صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) پرتوان

  • درایورهای موتور AC صنعتی

  • مبدل‌های سولار (خورشیدی)

  • شارژرهای سریع خودروهای الکتریکی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 1.5-2 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 4.7 تا 22 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-150 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 0.7 °C/W (با هیت‌سینک مناسب)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 0.5 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • هیت‌سینک مناسب: استفاده از هیت‌سینک با مقاومت حرارتی پایین

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله عایقی کافی روی PCB برای ولتاژ 650V

  • خازن‌های بای‌پس: استفاده از خازن‌های سرامیکی با ESR پایین نزدیک پایه‌ها

  • حفاظت از گیت: استفاده از TVS دیود یا زنر 18V برای محافظت گیت

  • مدار Snubber: استفاده از مدار اسنابر برای کاهش اسپایک ولتاژ

  • اتصال‌های عریض: استفاده از مس عریض برای پایه‌های درین و سورس


مشخصات سوئیچینگ پیشرفته

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 18 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 42 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 58 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 28 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 85 μJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 45 μJ

  • انرژی بازیابی معکوس (E<sub>rr</sub>): 8.5 μJ


جایگزین‌های مشابه

  • IPP11C65C3 – از Infineon

  • FCP11C65 – از Fairchild/ON Semi

  • STW11NC65 – از STMicroelectronics

  • IXFH11N65X2 – از IXYS


جمع‌بندی نهایی

ماسفت TK11A65W یک انتخاب حرفه‌ای و با کارایی بالا برای کاربردهای صنعتی پرتوان است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ 650V مناسب برای کاربردهای صنعتی پیشرفته

  • تعادل عالی بین تلفات هدایت و سوئیچینگ

  • سرعت سوئیچینگ بالا

  • قابلیت اطمینان فوق‌العاده

  • مناسب برای فرکانس‌کاری بالا

⚠️ محدودیت‌ها:

  • قیمت بالاتر نسبت به قطعات استاندارد

  • نیاز به طراحی حرفه‌ای برای بهره‌برداری کامل

  • نیاز به سیستم خنک‌کنندگی مناسب

💰 کاربردهای حرفه‌ای:

  • منابع تغذیه سرور و دیتاسنتر

  • سیستم‌های UPS صنعتی پرتوان

  • اینورترهای جوشکاری حرفه‌ای

  • مبدل‌های سولار پرتوان

  • درایورهای موتور صنعتی پیشرفته

این قطعه برای طراحانی که به دنبال بالاترین سطح کارایی و قابلیت اطمینان در کاربردهای صنعتی پرتوان هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.