ماسفت MOSFET TK11A65W ORIGINAL

در حال دریافت مشخصات محصول…
کد محصول PRD-14974
ابزارهای محصول دسترسی سریع به امکانات محصول

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

213.900تومان

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت TK11A65W – ترانزیستور قدرت Super Junction MOSFET

ماسفت TK11A65W یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده Super Junction MOSFET است که توسط شرکت Toshiba تولید شده است. این ماسفت به‌طور خاص برای کاربردهای سوئیچینگ سخت (Hard-Switching) با کارایی بالا طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی TK11A65W

  • ولتاژ بالا 650V: مناسب برای کاربردهای صنعتی و برق قدرت

  • تعادل عالی R<sub>DS(on)</sub> و Q<sub>g</sub>: تلفات هدایت و سوئیچینگ پایین

  • دیود بدن با بازیابی فوق‌سریع: کاهش تلفات سوئیچینگ در مبدل‌های پل کامل

  • پایداری حرارتی عالی: عملکرد مطمئن در دماهای کاری بالا

  • بهینه‌شده برای سوئیچینگ سخت: عملکرد عالی در شرایط سخت سوئیچینگ

  • قابلیت اطمینان بالا: استانداردهای کیفیت صنعتی توشیبا


کاربردهای اصلی

این ماسفت در کاربردهای پرتوان صنعتی زیر استفاده می‌شود:

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی پرتوان

  • مدارهای PFC (اصلاح ضریب توان) اکتیو

  • مبدل‌های پل کامل (Full-Bridge)

  • اینورترهای جوشکاری صنعتی

  • سیستم‌های UPS (منابع تغذیه بدون وقفه) پرتوان

  • درایورهای موتور AC صنعتی

  • مبدل‌های سولار (خورشیدی)

  • شارژرهای سریع خودروهای الکتریکی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 12-15 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 1.5-2 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 4.7 تا 22 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 50-150 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 0.7 °C/W (با هیت‌سینک مناسب)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 0.5 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • هیت‌سینک مناسب: استفاده از هیت‌سینک با مقاومت حرارتی پایین

  • فاصله عایقی: رعایت فاصله عایقی کافی روی PCB برای ولتاژ 650V

  • خازن‌های بای‌پس: استفاده از خازن‌های سرامیکی با ESR پایین نزدیک پایه‌ها

  • حفاظت از گیت: استفاده از TVS دیود یا زنر 18V برای محافظت گیت

  • مدار Snubber: استفاده از مدار اسنابر برای کاهش اسپایک ولتاژ

  • اتصال‌های عریض: استفاده از مس عریض برای پایه‌های درین و سورس


مشخصات سوئیچینگ پیشرفته

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 18 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 42 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 58 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 28 ns

  • انرژی روشن شدن (E<sub>on</sub>): 85 μJ

  • انرژی خاموش شدن (E<sub>off</sub>): 45 μJ

  • انرژی بازیابی معکوس (E<sub>rr</sub>): 8.5 μJ


جایگزین‌های مشابه

  • IPP11C65C3 – از Infineon

  • FCP11C65 – از Fairchild/ON Semi

  • STW11NC65 – از STMicroelectronics

  • IXFH11N65X2 – از IXYS


جمع‌بندی نهایی

ماسفت TK11A65W یک انتخاب حرفه‌ای و با کارایی بالا برای کاربردهای صنعتی پرتوان است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • ولتاژ 650V مناسب برای کاربردهای صنعتی پیشرفته

  • تعادل عالی بین تلفات هدایت و سوئیچینگ

  • سرعت سوئیچینگ بالا

  • قابلیت اطمینان فوق‌العاده

  • مناسب برای فرکانس‌کاری بالا

⚠️ محدودیت‌ها:

  • قیمت بالاتر نسبت به قطعات استاندارد

  • نیاز به طراحی حرفه‌ای برای بهره‌برداری کامل

  • نیاز به سیستم خنک‌کنندگی مناسب

💰 کاربردهای حرفه‌ای:

  • منابع تغذیه سرور و دیتاسنتر

  • سیستم‌های UPS صنعتی پرتوان

  • اینورترهای جوشکاری حرفه‌ای

  • مبدل‌های سولار پرتوان

  • درایورهای موتور صنعتی پیشرفته

این قطعه برای طراحانی که به دنبال بالاترین سطح کارایی و قابلیت اطمینان در کاربردهای صنعتی پرتوان هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET TK11A65W ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی Super Junction MOSFE
ولتاژ درین-سورس

650 V

جریان درین پیوسته 11 A
جریان درین پالسی 38 A
مقاومت درین-سورس روشن 0.38 Ω (380 mΩ)
بسته‌بندی TO-247
ولتاژ گیت-سورس ±30V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET TK11A65W ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن