ماسفت MOSFET IRFU9120NPBF ORIGINAL

در حال دریافت مشخصات محصول…
کد محصول PRD-14973
ابزارهای محصول دسترسی سریع به امکانات محصول

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

233.400تومان

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

ماسفت IRFU9120NPBF – ترانزیستور قدرت P-Channel HEXFET®

ماسفت IRFU9120NPBF یک ترانزیستور قدرت P-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت در بسته‌بندی SMD ارائه شده و برای کاربردهای فضای محدود طراحی شده است.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRFU9120NPBF

  • ولتاژ کاری مناسب: 100V- برای کاربردهای صنعتی

  • بسته‌بندی SMD: ایده‌آل برای فضاهای محدود

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> پایین: 280 میلی‌اهم برای P-Channel

  • سویچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

  • دیود بدن داخلی: دارای دیود بدن (Body Diode) با قابلیت بازیابی

  • حفاظت از شارژ استاتیک: دارای ساختار protected gate


کاربردهای اصلی

این ماسفت P-Channel در کاربردهای زیر استفاده می‌شود:

  • سویچ بار (Load Switch) ساید High-Side

  • کنترلرهای منبع تغذیه با پلاریته منفی

  • مدارات محافظت Reverse Polarity

  • سیستم‌های مدیریت باتری

  • مبدل‌های DC-DC با توپولوژی خاص

  • کنترلرهای روشن/خاموش در دستگاه‌های پرتابل

  • درایورهای موتور DC کوچک

  • مدارات قطع کننده بار (Load Disconnect)


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت (مهم):

  • ولتاژ درایو گیت: -10 V تا -12 V برای روشن شدن کامل

  • ولتاژ گیت برای خاموشی: 0 V تا +5 V (نسبت به سورس)

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 22 تا 100 Ω

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 80 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 5 °C/W

نکات حیاتی در طراحی P-Channel

  • پلاریته معکوس: همیشه به پلاریته منفی ولتاژهای V<sub>DS</sub> و V<sub>GS</sub> توجه کنید

  • درایور گیت مناسب: برای روشن کردن نیاز به ولتاژ منفی نسبت به سورس دارید

  • مدیریت حرارتی در SMD: مساحت کافی مس روی PCB برای تخلیه حرارت

  • حفاظت از اسپایک: استفاده از TVS دیود برای محافظت در برابر اسپایک ولتاژ

  • مقاومت Pull-Up: یک مقاومت 47kΩ-100kΩ بین گیت و سورس برای خاموشی مطمئن


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 15 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 35 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 45 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 25 ns


جایگزین‌های مشابه

  • IRF9310 – مشخصات مشابه

  • SI2345 – از Vishay

  • FDC653P – از Fairchild/ON Semi

  • NDP6020P – از Fairchild/ON Semi


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRFU9120NPBF یک انتخاب عالی برای طراحی‌های SMD که نیاز به P-Channel دارند.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • بسته‌بندی SMD برای فضاهای محدود

  • ولتاژ کاری 100V- مناسب

  • مقاومت Rds(on) خوب برای P-Channel

  • سرعت سوئیچینگ مناسب

  • ساده‌سازی طراحی در سویچ ساید High

⚠️ محدودیت‌ها:

  • جریان دهی محدود (3.7A-)

  • نیاز به درایور گیت با پلاریته منفی

  • مدیریت حرارتی چالش‌برانگیز در بسته‌بندی SMD

💰 مقرون به صرفه برای:

  • Load Switch های صنعتی SMD

  • کنترلرهای منبع تغذیه پرتابل

  • سیستم‌های مدیریت باتری

  • مدارات محافظت Reverse Polarity

  • دستگاه‌های الکترونیکی پرتابل

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل SMD کارآمد برای سویچینگ ساید High با جریان متوسط هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRFU9120NPBF ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
سری P-Channel
ولتاژ درین-سورس

-100 V

جریان درین پیوسته -3.7 A
جریان درین پالسی -15 A
مقاومت درین-سورس روشن 0.28 Ω (280 mΩ)
بسته‌بندی TO-251
ولتاژ گیت-سورس ±20V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRFU9120NPBF ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن