ماسفت STP8NK100Z – تکنولوژی MDmesh™
بررسی تخصصی ترانزیستور قدرت ولتاژ بالا
ماسفت STP8NK100Z یک ترانزیستور قدرت پیشرفته مبتنی بر تکنولوژی MDmesh™ است که توسط شرکت STMicroelectronics تولید شده است.
مشخصات فنی جامع
پارامترهای اصلی
-
سری: MDmesh™
-
ولتاژ درین-سورس: 1000V
-
جریان درین پیوسته: 7.2A (در 25°C)
-
جریان درین پالسی: 28.8A
-
مقاومت درین-سورس روشن: 1.2Ω (در Vgs=10V)
-
بستهبندی: TO-220
مشخصات کلیدی
-
ولتاژ گیت-سورس: ±30V
-
توان مجاز: 85W
-
دمای اتصال: -55°C تا +150°C
-
ظرفیت خازنی ورودی (Ciss): 1200pF
-
بار گیت (Qg): 45nC
-
شارژ گیت-سورس (Qgs): 12nC
-
ظرفیت خازنی خروجی (Coss): 85pF
ویژگیهای منحصر به فرد MDmesh™
✅ مزایای تکنولوژی MDmesh™
-
ولتاژ کاری بسیار بالا (1000V)
-
تعادل خوب بین Rds(on) و Qg
-
دیود بدن با بازیابی نرم
-
پایداری سوئیچینگ مناسب
-
قابلیت اطمینان بالا در ولتاژهای بالا
📊 مشخصات پیشرفته
-
فرکانس کاری تا 50kHz
-
تلفات هدایت بهینه برای ولتاژ بالا
-
پاسخ سوئیچینگ مناسب
-
مناسب برای کاربردهای ولتاژ بالا
کاربردهای اصلی
🔌 حوزههای کاربردی
-
منابع تغذیه سوئیچینگ ولتاژ بالا
-
مبدلهای Flyback ولتاژ بالا
-
اینورترهای خورشیدی
-
درایور موتورهای ولتاژ بالا
-
سیستمهای UPS صنعتی
-
مبدلهای Boost PFC
-
سیستمهای کنترل صنعتی ولتاژ بالا
مدار راهاندازی پیشنهادی
الزامات درایور گیت
-
ولتاژ درایور گیت: 12V-15V توصیه میشود
-
جریان درایور پیک: حداقل 1.5A
-
مقاومت گیت: 4.7-22Ω
-
سرعت سوئیچینگ بهینه: 30-50kHz
پارامترهای حرارتی
-
مقاومت حرارتی اتصال-هوا (Rthj-a): 62°C/W
-
مقاومت حرارتی اتصال-کیس (Rthj-c): 1.5°C/W
-
حداکثر دمای اتصال (Tjmax): 150°C

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.