8.700تومان
FDN360P یک ماسفت (MOSFET) از نوع P-Channel Enhancement Mode است که توسط شرکت ON Semiconductor (اکنون onsemi) تولید شده. این ماسفت مناسب برای کاربردهای سوییچینگ سطح پایین و همچنین حفاظت مدار در پروژههای الکترونیکی طراحی شده و در مداراتی که نیاز به سوییچینگ مثبت دارند بسیار محبوب است.
Low Rds(on):
مقاومت پایین در حالت روشن به معنی افت ولتاژ و اتلاف توان کمتر.
سوئیچینگ سریع:
مناسب برای مدارهای با فرکانس بالا.
کار با ولتاژهای پایین:
قابل کنترل توسط میکروکنترلرهایی با سطح ولتاژ پایین (مثلاً 3.3V یا 5V).
طراحی جمعوجور:
بستهبندی SOT-23 مناسب برای مدارهای کوچک و پروژههای قابل حمل.
سوئیچینگ توان پایین (Low-Side یا High-Side Switching بسته به طراحی)
محافظت از مدارهای حساس در برابر معکوس شدن ولتاژ
تغذیه باتری و مدیریت توان در گجتهای پرتابل
درایور LED و درایور رلههای کوچک
پروژههای مبتنی بر میکروکنترلر (Arduino، ESP32 و غیره)
برای سوئیچینگ کامل، ولتاژ گیت باید نسبت به سورس به میزان کافی منفی باشد (مثلاً Vgs = -4.5V).
بهتر است مقاومت Pull-up یا Pull-down مناسبی روی گیت قرار گیرد تا در هنگام خاموش بودن میکروکنترلر یا سیستم، گیت در حالت نامشخص معلق نباشد.
در طراحی PCB مسیرهای اتصال درین و سورس باید به اندازه کافی پهن باشند تا گرمای حاصل بهتر دفع شود.
FDN360P مخصوصاً در پروژههایی که نیاز به سوییچینگ مثبت و کاهش تعداد قطعات محافظتی (مثل دیود در معکوسسازی تغذیه) دارند، بسیار عالی عمل میکند.
| Feature | Specification |
|---|---|
| پکیج (Package) | |
| تعداد در بسته | |
| بستهبندی (Packing) | |
| نوع ماسفت | P-Channel |
| حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds) | -20 ولت |
| مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) | 50 میلیاهم @ Vgs = -4.5V |
| حداکثر جریان درین (Id) | -4.2 آمپر (در دمای 25°C) |
| ولتاژ گیت-سورس (Vgs) | ±8 ولت (حداکثر تحمل) |
| توان تلف شده (Pd) | 1 وات (در دمای 25°C) |
| دمای کاری | -55°C تا +150°C |
| GPS ANTENNA EXTERNAL | مناسب ترین قیمت در بازار ایران |
|---|
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.