ماسفت MOSFET IRF530NPBF ORIGINAL

در حال دریافت مشخصات محصول…
کد محصول PRD-14979
ابزارهای محصول دسترسی سریع به امکانات محصول

اصلات بی قید و شرط

ارسال به کل ایران

75.300تومان

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصولات مرتبط

مشاهده بیشتر

محصول با موفقیت به سبد خرید اضافه شد

برو به سبد خرید

 ماسفت IRF530NPBF – ترانزیستور قدرت HEXFET®

ماسفت IRF530NPBF یک ترانزیستور قدرت N-Channel از خانواده HEXFET® است که توسط شرکت International Rectifier (اینفینون) تولید شده است. این ماسفت یک قطعه استاندارد و پرکاربرد برای کاربردهای عمومی با ولتاژ متوسط می‌باشد.

ویژگی‌های منحصر به فرد

✅ مزایای کلیدی IRF530NPBF

  • ولتاژ کاری مناسب 100V: ایده‌آل برای کاربردهای 12V تا 48V

  • جریان دهی خوب: 17 آمپر برای کاربردهای عمومی

  • مقاومت R<sub>DS(on)</sub> مناسب: 110 میلی‌اهم برای رنج کاری خود

  • قیمت بسیار اقتصادی: مقرون به صرفه برای تولید انبوه

  • قابلیت اطمینان بالا: تست شده و اثبات شده در صنعت

  • در دسترس بودن عالی: موجود در بازارهای جهانی


کاربردهای اصلی

این ماسفت در طیف وسیعی از کاربردهای صنعتی استفاده می‌شود:

  • درایورهای موتور DC و استپر موتور

  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) متوسط

  • کنترل‌کننده‌های سرعت موتور PWM

  • سویچ‌های بار (Load Switch) پرتوان

  • مبدل‌های DC-DC Buck/Boost

  • سیستم‌های کنترل روشنایی صنعتی

  • درایورهای رله و سولنوئید پرتوان

  • پروژه‌های آموزشی و آزمایشگاهی


مدار راه‌اندازی پیشنهادی و نکات طراحی

الزامات درایور گیت:

  • ولتاژ درایو گیت پیشنهادی: 10-12 V

  • جریان پیک درایور: حداقل 0.5-1 A

  • مقاومت گیت (R<sub>G</sub>): بین 10 تا 47 Ω

  • فرکانس سوئیچینگ بهینه: 20-80 kHz

پارامترهای حرارتی:

  • مقاومت حرارتی اتصال-هوا (R<sub>θJ-A</sub>): 62 °C/W (بدون هیت‌سینک)

  • مقاومت حرارتی اتصال-کیس (R<sub>θJ-C</sub>): 1.4 °C/W

نکات حیاتی در طراحی

  • استفاده از هیت‌سینک: برای جریان‌های بالاتر از 5A حتماً از هیت‌سینک استفاده کنید

  • حفاظت از گیت: استفاده از دیود زنر 15V-18V بین گیت و سورس

  • مقاومت Pull-Down: یک مقاومت 10kΩ بین گیت و سورس برای خاموشی مطمئن

  • خازن بای‌پس: خازن 100nF سرامیکی نزدیک پایه‌ها

  • مسیرهای PCB عریض: استفاده از مس عریض برای پایه‌های درین و سورس

  • حفاظت از اتصال کوتاه: استفاده از فیوز یا مدار محدود کننده جریان


مشخصات سوئیچینگ

  • زمان تأخیر روشن شدن (t<sub>d(on)</sub>): 20 ns

  • زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 60 ns

  • زمان تأخیر خاموش شدن (t<sub>d(off)</sub>): 60 ns

  • زمان سقوط (t<sub>f</sub>): 35 ns

  • حداکثر فرکانس سوئیچینگ عملی: تا 100 kHz


جایگزین‌های مشابه و معادل

  • IRF530 – نسخه اصلی (غیر Pb-Free)

  • STP16NF10 – از STMicroelectronics

  • FQP17N10 – از Fairchild/ON Semi

  • RFP50N10 – از Fairchild

  • 2SK2545 – از توشیبا


جمع‌بندی نهایی

ماسفت IRF530NPBF یک انتخاب همه‌کاره و متعادل برای کاربردهای عمومی صنعتی است.

🎯 مزایای نهایی این قطعه:

  • تعادل خوب بین ولتاژ، جریان و سرعت

  • قیمت بسیار مقرون به صرفه

  • قابلیت اطمینان اثبات شده

  • در دسترس بودن عالی

  • مناسب برای فرکانس‌کاری متوسط

⚠️ محدودیت‌ها:

  • تکنولوژی قدیمی – کارایی پایین‌تر از نسل جدید

  • مقاومت Rds(on) بالاتر از قطعات مدرن

  • سرعت سوئیچینگ محدود

💰 ایده‌آل برای:

  • پروژه‌های آموزشی و دانشگاهی

  • درایورهای موتور رباتیک و DIY

  • منابع تغذیه 12V/24V صنعتی

  • کنترل‌کننده‌های سرعت موتور DC

  • طراحی‌های اقتصادی با حجم متوسط

این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک راه‌حل مطمئن، tested و اقتصادی برای کاربردهای عمومی با ولتاژ متوسط هستند، انتخابی ایده‌آل محسوب می‌شود.

توضیحات

جدول مشخصات فنی ماسفت MOSFET IRF530NPBF ORIGINAL

Feature Specification
پکیج (Package)
تعداد در بسته
بسته‌بندی (Packing)
تکنولوژی HEXFET®
ولتاژ درین-سورس

100V

جریان درین پیوسته 17A
جریان درین پالسی 68A
مقاومت درین-سورس روشن 0.11 Ω (110 mΩ)
بسته‌بندی TO-220
ولتاژ گیت-سورس ±20V

micronoor.com

.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت MOSFET IRF530NPBF ORIGINAL”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

راه‌های ارتباطی

📞 09199213704 واتساپ ایتا
بستن