ماسفت اورجینال MOSFET 2SJ584
۲۴,۸۴۰ تومان
بازخورد درباره این کالا
بازخورد شما درباره IRF3710 ماسفت
بازخورد خود را بنویسید ثبت اطلاعات
گزارش قیمت برای IRF3710 ماسفت
تومان
ثبت اطلاعات
ویدیو:
نمودار قیمت
IRF3710 ماسفت
جزئیات ارسال
IRF3710 ماسفت
IRF3710
ترانزیستور IRF3710 یک ماسفت کانال N با ولتاژ و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویت‌کننده در پروژه‌های الکترونیکی طراحی شده است. این ماسفت به دلیل داشتن مقاومت پایین در حالت روشن (RDS(on)_{DS(on)}) و سرعت سوئیچینگ بالا در مدارهای قدرت و پروژه‌های صنعتی کاربرد دارد.
ویژگی‌های کلیدی IRF3710
- ولتاژ بالا: مناسب برای مدارهایی با ولتاژ‌های تخلیه بالا تا 100 ولت.
- جریان بالا: قابلیت عبور جریان تا 57 آمپر.
- مقاومت روشن پایین: RDS(on)_{DS(on)} کم که باعث کاهش تلفات توان در حالت روشن می‌شود.
- سرعت سوئیچینگ بالا: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا.
- توان تلفاتی بالا: توانایی تحمل توان 200 وات در شرایط بهینه.
- پایداری حرارتی: عملکرد پایدار در دماهای بالا تا 175°C.
کاربردها
- مدارهای سوئیچینگ قدرت: مانند مبدل‌های DC-DC و اینورترها.
- مدارهای درایور موتور: برای کنترل سرعت و جهت موتورهای DC.
- مدارهای منبع تغذیه سوئیچینگ (SMPS): به عنوان کلیدهای قدرت.
- تقویت‌کننده‌های صوتی: برای تقویت سیگنال‌های توان بالا.
- سیستم‌های انرژی خورشیدی: مدیریت و کنترل انرژی در پنل‌های خورشیدی.
- سیستم‌های UPS و برق اضطراری: سوئیچینگ سریع و تحمل توان بالا.
مدار نمونه برای استفاده از IRF3710
مدار ساده سوئیچینگ با IRF3710:
- تغذیه: منبع تغذیه مثبت را به درین (D) و بار را به منبع (S) متصل کنید.
- کنترل: سیگنال PWM یا ولتاژ گیت (G) از میکروکنترلر یا درایور به پایه گیت متصل می‌شود.
- مقاومت گیت: از یک مقاومت سری کوچک (معمولاً 10-100 اهم) برای کنترل جریان ورودی گیت استفاده کنید.
محاسبات توان تلفاتی
برای بهینه‌سازی طراحی و جلوگیری از گرم شدن بیش از حد ماسفت، توان تلفاتی (Ploss_{loss}) باید محاسبه شود:
Ploss=ID2×RDS(on)P_{loss} = I_D^2 \times R_{DS(on)}
برای جریان 30 آمپر و RDS(on)_{DS(on)} برابر 0.023 اهم:
Ploss=302×0.023=20.7 واتP_{loss} = 30^2 \times 0.023 = 20.7 \text{ وات}
بنابراین، برای دفع حرارت، از یک هیت‌سینک مناسب استفاده کنید.
نکات مهم در استفاده از IRF3710
- ایزولاسیون گیت: ولتاژ گیت باید بین 10 تا 15 ولت باشد تا ماسفت به طور کامل روشن شود.
- مدیریت حرارت: برای کاهش دمای ماسفت در جریان‌های بالا از هیت‌سینک استفاده کنید.
- محافظت مدار: استفاده از دیود هرزگرد (Flyback Diode) در مدارهای سوئیچینگ با بارهای القایی ضروری است.
- کنترل گیت: از یک درایور گیت مناسب برای سوئیچینگ سریع استفاده کنید.
مزایا و معایب IRF3710
مزایا:
- تحمل ولتاژ و جریان بالا
- سوئیچینگ سریع
- مقاومت پایین در حالت روشن
معایب:
- نیاز به درایور گیت مناسب برای عملکرد بهینه
- گرمایش در جریان‌های بالا که نیاز به هیت‌سینک دارد
آیا قیمت مناسب تری سراغ دارید؟
مرا اگاه کن
محصولات مشابه
TRN IRF4905 DIP ماسفت
۳۹,۳۶۰ تومان
ماسفت اورجینال MOSFET PSMN012-80PS
۲۰,۱۶۰ تومان
ماسفت کپی MOSFET FQD11P06TM
۶,۱۲۰ تومان
ماسفت اورجینال MOSFET NDS356AP
۹,۱۲۰ تومان
ماسفت اورجینال MOSFET IRF9530NPBF
۱۹,۰۸۰ تومان
ماسفت اورجینال MOSFET IRLR024NPBF
۱۲,۷۲۰ تومان
ORG BSS138P,215 ماسفت
۱,۶۸۵ تومان
MOSFET IRLML2803TRPBF ماسفت
۵,۰۴۰ تومان
ماسفت اورجینال MOSFET IRF9Z34NPBF
۱۸,۳۶۰ تومان
نقد و بررسی
IRF3710 ماسفتترانزیستور IRF3710 یک ماسفت کانال N با ولتاژ و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویت‌کننده در پروژه‌های الکترونیکی طراحی شده است. این ماسفت به دلیل داشتن مقاومت پایین در حالت روشن (RDS(on)_{DS(on)}) و سرعت سوئیچینگ بالا در مدارهای قدرت و پروژه‌های صنعتی کاربرد دارد.
ویژگی‌های کلیدی IRF3710
- ولتاژ بالا: مناسب برای مدارهایی با ولتاژ‌های تخلیه بالا تا 100 ولت.
- جریان بالا: قابلیت عبور جریان تا 57 آمپر.
- مقاومت روشن پایین: RDS(on)_{DS(on)} کم که باعث کاهش تلفات توان در حالت روشن می‌شود.
- سرعت سوئیچینگ بالا: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا.
- توان تلفاتی بالا: توانایی تحمل توان 200 وات در شرایط بهینه.
- پایداری حرارتی: عملکرد پایدار در دماهای بالا تا 175°C.
کاربردها
- مدارهای سوئیچینگ قدرت: مانند مبدل‌های DC-DC و اینورترها.
- مدارهای درایور موتور: برای کنترل سرعت و جهت موتورهای DC.
- مدارهای منبع تغذیه سوئیچینگ (SMPS): به عنوان کلیدهای قدرت.
- تقویت‌کننده‌های صوتی: برای تقویت سیگنال‌های توان بالا.
- سیستم‌های انرژی خورشیدی: مدیریت و کنترل انرژی در پنل‌های خورشیدی.
- سیستم‌های UPS و برق اضطراری: سوئیچینگ سریع و تحمل توان بالا.
مدار نمونه برای استفاده از IRF3710
مدار ساده سوئیچینگ با IRF3710:
- تغذیه: منبع تغذیه مثبت را به درین (D) و بار را به منبع (S) متصل کنید.
- کنترل: سیگنال PWM یا ولتاژ گیت (G) از میکروکنترلر یا درایور به پایه گیت متصل می‌شود.
- مقاومت گیت: از یک مقاومت سری کوچک (معمولاً 10-100 اهم) برای کنترل جریان ورودی گیت استفاده کنید.
محاسبات توان تلفاتی
برای بهینه‌سازی طراحی و جلوگیری از گرم شدن بیش از حد ماسفت، توان تلفاتی (Ploss_{loss}) باید محاسبه شود:
Ploss=ID2×RDS(on)P_{loss} = I_D^2 \times R_{DS(on)}
برای جریان 30 آمپر و RDS(on)_{DS(on)} برابر 0.023 اهم:
Ploss=302×0.023=20.7 واتP_{loss} = 30^2 \times 0.023 = 20.7 \text{ وات}
بنابراین، برای دفع حرارت، از یک هیت‌سینک مناسب استفاده کنید.
نکات مهم در استفاده از IRF3710
- ایزولاسیون گیت: ولتاژ گیت باید بین 10 تا 15 ولت باشد تا ماسفت به طور کامل روشن شود.
- مدیریت حرارت: برای کاهش دمای ماسفت در جریان‌های بالا از هیت‌سینک استفاده کنید.
- محافظت مدار: استفاده از دیود هرزگرد (Flyback Diode) در مدارهای سوئیچینگ با بارهای القایی ضروری است.
- کنترل گیت: از یک درایور گیت مناسب برای سوئیچینگ سریع استفاده کنید.
مزایا و معایب IRF3710
مزایا:
- تحمل ولتاژ و جریان بالا
- سوئیچینگ سریع
- مقاومت پایین در حالت روشن
معایب:
- نیاز به درایور گیت مناسب برای عملکرد بهینه
- گرمایش در جریان‌های بالا که نیاز به هیت‌سینک دارد
| Feature | Specification |
|---|---|
| نوع ترانزیستور | MOSFET کانال N |
| ولتاژ تخلیه-منبع (VDS_{DS}) | 100 ولت |
| جریان درین (ID_{D}) | 57 آمپر (در دمای 25°C) |
| مقاومت روشن (RDS(on)_{DS(on)}) | 23 میلی‌اهم |
| ولتاژ گیت-منبع (VGS_{GS}) | ±20 ولت |
| توان تلفاتی (PD_{D}) |
200 وات
|
| ظرفیت ورودی (Ciss_{iss}) | 2500 پیکوفاراد |
امتیاز کاربران به:
IRF3710 ماسفت
(0نفر)
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.
هیچ پرسش و پاسخی ثبت نشده است.
پرسش خود را درباره این کالا بیان کنید
ثبت پرسش
پرسش خود را درباره این کالا ثبت کنید
ثبت پاسخ به معنی موافقت باقوانین انتشار فروشگاه قطعات الکترونیک | MicroNoor است.
0دیدگاه