نقد و بررسی
ماسفت اورجینال MOSFET SI2301DS-T1ماسفت اورجینال SI2301DS-T1
SI2301DS-T1 یک ماسفت (MOSFET) P-Channel Enhancement Mode با مقاومت بسیار پایین و مناسب برای ولتاژهای پایین است. این قطعه توسط شرکت Vishay Siliconix یا سازندگان معتبر مشابه تولید میشود و در مدارهای مدیریت تغذیه و سوئیچینگ به کار میرود.
✅ ویژگیهای برجسته SI2301DS-T1
-
ماسفت P-Channel با ولتاژ پایین:
برای سوئیچینگ در خطوط مثبت تغذیه (مثلاً قطع و وصل برق +5V یا +3.3V). -
Rds(on) بسیار پایین:
مناسب برای کاهش افت ولتاژ و تلفات حرارتی. -
بستهبندی کوچک SOT-23:
ایدهآل برای طراحی مدارهای فشرده. -
سوئیچینگ سریع:
قابلیت عملکرد در فرکانسهای سوئیچینگ نسبتاً بالا.
⚡ کاربردهای معمول SI2301DS-T1
-
سوئیچینگ خطوط تغذیه مثبت (High-Side Switching)
-
محافظت از مدارات در برابر اتصال معکوس (Reverse Polarity Protection)
-
مدارهای کنترل باتری و مدیریت توان
-
پروژههای IoT و الکترونیک مصرفی
-
قطع/وصل بارهای کوچک با فرمانهای میکروکنترلرها (مخصوصاً برای تغذیههای 5V و 3.3V)
🛠 نکات کاربردی هنگام استفاده
-
چون P-Channel است، برای روشن شدن نیاز به ولتاژ گیت پایینتر از سورس دارد.
-
مقاومت کوچک روی گیت (مثلاً 100Ω) برای کنترل بهتر سوئیچینگ توصیه میشود.
-
مقاومت Pull-up روی گیت (مثلاً 10kΩ) لازم است تا گیت در حالت قطع به ولتاژ سورس متصل شود.
🖍 نکته حرفهای
SI2301DS-T1 بهترین انتخاب برای زمانی است که میخواهید یک تغذیه +5V یا +3.3V را مستقیماً قطع و وصل کنید بدون اینکه نیازی به مدارهای اضافه داشته باشید.
(به خصوص در پروژههای کممصرف مثل آردوینو، ESP32، ماژولهای سنسوری و دستگاههای قابل حمل.)
مشخصات فنی SI2301DS-T1
Feature | Specification |
---|---|
نوع ماسفت | P-Channel |
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds) | -20 ولت |
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) | 85 میلیاهم @ Vgs = -2.5V 60 میلیاهم @ Vgs = -4.5V |
حداکثر جریان درین (Id) | -2.3 آمپر (در دمای 25°C) |
ولتاژ گیت-سورس (Vgs) | ±8 ولت (تحمل حداکثری) |
توان تلف شده (Pd) | 1 وات (در دمای 25°C) |
دمای کاری | -55°C تا +150°C |
0دیدگاه